350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №7 за 2011 г.
Статья в номере:
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ключевые слова: сегнетоэлектрик гистерезис моделирование интеграция сегнетоэлектрическое запоминающее устройство
Авторы:
Ю. В. ПОДГОРНЫЙ - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К. А. ВОРОТИЛОВ - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Аннотация:
Рассмотрены вопросы моделирования экспериментальных петель гистерезиса сегнетоэлектрических гетероструктур с помощью известных аналитических функций для повышения точности и упрощения математической обработки экспериментальных данных. Даны численные методики определения параметров моделей слоев пленок толщиной 30-200 нм. Приведены экспериментальные результаты моделирования петель гистерезиса тонкопленочных гетероструктур на основе цирконата-титаната свинца.
Страницы: 42-48
Список источников
  1. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир. 1981.
  2. Воротилов К.А., Сигов А.С.Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы. // Нано- и Микросистемная техника. 2008.
    № 10. С. 30-42.
  3. Воротилов К.А., Сигов А.С., Романов А.А., Машевич П.Р. Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры. 2010.  № 1.
    С. 45-53.
  4. Ren T.-L., Zhang M.-M. Key technologies for FeRAM backend module // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2009. Р. 1160-1168.
  5. Tagantsev A. K., Gerra G.Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. 051607. Р. 1-28.
  6. Pintilie L, Alexe M.Metal-ferroelectric-metal heterostructures with Schottky contacts. I. Influence of the ferroelectric properties.// J. Appl. Phys. 2005, V. 98. 124103. Р. 1-8.
  7. Серегин Д.С.Влияния температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок ЦТС. // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 8. С. 48-52.
  8. Котова Н.М., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС. // Нано- и микросистемная техника. 2010, № 10. С. 11-16.
  9. Подгорный Ю.В., Акыев С.А.,  Воротилов К.А.Формализация петель гистерезиса  сегнетоэлектрических материалов. // Материалы международной НТК «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (23-27 ноября 2010 г., Москва). М: Энергоатомиздат. 2010. Ч. 1. С. 60-68.
  10. Херхагер М., Партолль Х.Mathcad 2000: полное руководство / Пер. с нем. К.: Издательская группа BHV. 2000.
  11. Худсон Д. Статистика для физиков. М.: Мир. 1970.