Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову insulator
Реверсивный тепловой затвор
А. А. Балагур - к. ф.-м. н., доцент, кафедра «Радиоприборы», Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА). E-mail: balagur@mirea.ru, balagur@proc.ru
Криогенный гармонический фазовый детектор
К.В. Калашников - аспирант, МФТИ. E-mail: kalashnikov@hitech.cplire.ru А.В. Худченко - к.ф.-м.н., инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: khudchenko@hitech.cplire.ru В.П. Кошелец - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: valery@hitech.cplire.ru
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Расчет виброзащитных систем с изменяемой жесткостью на автомобилях специального назначения
В.П. Иванов - к.т.н., доцент, начальник 2-го факультета, Военный авиационный инженерный университет (ВАИУ) (г. Воронеж) А.А. Колтаков - адъюнкт, 23-я кафедра, ВАИУ (г. Воронеж). E-mail: ktv602@mail.ru А.Ю. Харламов - к.т.н., ст. преподаватель, 22-я кафедра, ВАИУ (г. Воронеж)
Фотогальванический эффект в двумерном топологическом изоляторе
В.О. Каладжян - студент, МФТИ. E-mail: vardan1991@mail.ru C.Н. Артеменко - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: art@cplire.ru
Влияние кристаллической симметрии на переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках LaMnO<sub>3</sub>
М.А. Карпов - студент 5-го курса, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: mkarpov@hitech.cplire.ru И.В. Борисенко - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: iboris@hitech.cplire.ru Г.А. Овсянников - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: gena@hitech.cplire.ru
Исследование и оптимизация криогенного гармонического фазового детектора
К.В. Калашников - аспирант, МФТИ. E-mail: kalashnikov@hitech.cplire.ru В.П. Кошелец - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: valery@hitech.cplire.ru
Фотогальванический эффект в двумерном топологическом изоляторе с туннельными контактами
В.О. Каладжян - студент, МФТИ. E-mail: vardan1991@mail.ru C.Н. Артеменко - гл. науч. cотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: art@cplire.ru
Мощность излучения и ширина линии джозефсоновского полуфлаксонного генератора
М.Е. Парамонов - аспирант, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: paramonov@hitech.cplire.ru В.П. Кошелец - д.ф.-м.н., профессор, зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: valery@hitech.cplire.ru Э.Б. Голдобин - профессор, Тюбингенский университет, Германия. Е-mail: gold@uni-tuebingen.de
Вычислительная физика в исследовании эмитирующих наноструктур для лазерной техники
Д.К. Никифоров - к.ф.-м.н., доцент, Финансовый университет при Правительстве РФ, Калужский филиал; Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: DKNikiforov@fa.ru
Фотогальванический эффект вследствие оптических переходов между краевыми и объемными состояниями в топологическом изоляторе HgTe/CdTe
П.П. Асеев - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: pavel.p.aseev@gmail.com В.О. Каладжян - аспирант, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: vardashka@gmail.com С.Н. Артеменко - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: art@cplire.ru
Влияние качества тонких диэлектрических пленок на надежность интегральных микросхем
О.Н. Глотова - студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: luckyfox13@mail.ru С.А. Адарчин - к.т.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te (x = 0,21-0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
А.В. Войцеховский - д.ф.-м.н., зав. кафедрой, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: vav43@mail.tsu.ru Н.А. Кульчицкий - д.т.н., профессор, Московский технологический университет (МИРЭА), Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова E-mail: n.kulchitsky@gmail.com С.Н. Несмелов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: nesm69@mail.ru С.М. Дзядух - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: bonespirit@sibmail.com
Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO<sub>2</sub> и Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>
В.Л. Олейник - мл. науч. сотрудник, ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» В.В. Копьев - мл. науч. сотрудник, ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» E-mail: dozorx777@gmail.com
Оптические свойства атомно-тонких пленок топологического изолятора Bi2Se3

А.В. Фролов1, А.П. Орлов2, А.Г. Темирязев3

1,2 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

3 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

 

Технология изготовления отпаянных разрядников-обострителей высокого давления с рабочими напряжениями до 500 кВ

Д.С. Маханько

НИИ ГРП «Плазма» (г. Рязань, Россия)
 

Оптические свойства атомно-тонких пленок топологического изолятора Bi2Se3*

А.В. Фролов1, А.П. Орлов2, А.Г. Темирязев3

1,2 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

3 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

Поправки для уравнений электромагнитного поля в присутствии низкоразмерных электронных систем со спин-орбитальным взаимодействием

Я.В. Туркин – аспирант, кафедра «Электронные приборы и устройства»,  Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: turkin.yaroslav@gmail.com

П.В. Купцов – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Приборостроение», 

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: p.kuptsov@rambler.ru

Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием*

М.С. Шевченко1, Л.В. Филиппенко2, В.П. Кошелец3

1-3 ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

1 МФТИ (г. Долгопрудный, Россия)

3 Институт физики микроструктур РАН (Москва, Россия)

Вертикальные КМОП нанотранзисторы с коническим каналом для трехмерных интегральных схем

Н.В. Масальский1

1 Федеральный научный центр «Научно-исследовательский институт системных исследований РАН» (Москва, Россия)

Интегрально-оптическая подстроечная линия задержки для применения в волоконно-оптических линиях связи

А.А. Никитин1, В.В. Витько2, А.А. Емельянов3, А.Б. Устинов4

1–4 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург, Россия)

3 АО «КНИРТИ» (г. Жуков, Калужская обл., Россия)

1aanikitin@etu.ru, 2vitaliy.vitko@gmail.com, 3eaa15@knirti.ru, 4Ustinov_rus@yahoo.com