350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Влияние кристаллической симметрии на переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках LaMnO<sub>3</sub>
Ключевые слова: манганиты тонкие пленки переход металл-изолятор симметрия кристаллической решетки
Авторы:
М.А. Карпов - студент 5-го курса, МФТИ; инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: mkarpov@hitech.cplire.ru И.В. Борисенко - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: iboris@hitech.cplire.ru Г.А. Овсянников - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: gena@hitech.cplire.ru
Аннотация:
Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO3 с объемными свойствами антиферромагнитного изолятора на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры (SrTiO3, LaAlO3, (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7) испытывают переход металл-изолятор в диапазоне температур 150-250 К. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO3 на различных подложках, а также зависимость резистивных свойств пленок LaMnO3 на подложке SrTiO3 от их толщины. Показано, что возникающая металлическая проводимость распространяется на весь объем пленки вплоть до толщин 40 нм.
Страницы: 136-137
Список источников
  1. Jonker G.H., Van Santen J.H. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure // Physica. 1950. XVI(3).  Р. 337-349.
  2. Chahara K., Ohno T., Kasai M., Kozono Y. Magnetoresistance in magnetic manganese oxide with intrinsic antiferromagnetic spin structure // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63(14). Р. 1990-1992.
  3. Murugavel P., Lee, J.H., Jong-Gul Yoon, Noh T.W. Chung J.-S., Heu M., Yoon S. Origin of metal-insulator transition temperature enhancement in underdoped lanthanum manganite films // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1908.
  4. Nanda B.R.K., Satpathy S. Magnetic and orbital order in LaMnO3 under uniaxial strain: A model study // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 174423.