Д.К. Никифоров - к.ф.-м.н., доцент, Финансовый университет при Правительстве РФ, Калужский филиал; Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: DKNikiforov@fa.ru

Дан обзор результатов вычислительного эксперимента - компьютерного моделирования процессов инжекции и эмиссии электронов в эмитирующих наноструктурах на основе BeO, Al₂O₃ и AlN. Особое внимание уделено процессам образования инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ), в зависимости от приложенного электрического поля и па-раметров электронных ловушек.

 

1. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Эмиттирующие наноструктуры «металл ? оксид металла»: физика и применение. Москва: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2009. 156 с.
2. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Никифоров Д.К., Чистяков Г.А. Создание эффективных холодных катодов из алюминия и бериллия // Перспективные материалы. 2007. Т. 1. № 2. С. 23−28.
3. Коржавый А.П., Марин В.П., Сигов А.С. Некоторые аспекты создания технологий и конструкций изделий квантовой электроники // Наукоемкие технологии. 2002. Т. 3. № 4. С. 20−31.
4. Шулаков А.С., Брайко А.П., Букин С.В., Дрозд В.Е. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si // ФТТ. 2004. Т. 46. № 10. С. 1868−1872.
5. Ежовский Ю.К., Клусевич А.И. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия // ФТТ. 2003. Т. 45. № 11. С. 2099−2103.
6. Прудан А.М., Гольман Е.К., Козырев А.Б., Кютт Р.Н., Логинов В.Е. Свойства титаната стронция в многослойной структуре SrTiO3/CeO2/Al2O3 // ФТТ. 1997. Т. 39. № 6. С. 1024−1029.
7. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах // ФТП. 2000. Т. 34. № 8. С. 1014−1019.
8. Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов // ФТП. 2003. Т. 37. № 10. С. 1231−1234.
9. Суховский В.Н., Коржавый А.П., Кочурихин В.Е. Нитриды переходных металлов ? перспективные матералы для долговечных пленочных катодов // Электронная техника. Сер. Материалы. 1989. № 6. С. 70−71.
10. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim tunneling in anodized Al-Al2O3-Au diodes // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. № 11. P. 7903−7912.
11. Hickmott T.W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized Al-Al2O3-Au // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. № 5. P. 2805−2812.
12. Lee M.B., Hahm S.H., Lee J.H., Song Y.H.Emission behavior of nm-thick Al2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. P. 123511−123513.
13. Shi S.C., Chen C.F., Li H.Y., Lo J.T., Lan Z.H., Chen K.H., Chen L.C. Field emission from quasi-aligned aluminium nitride nanotips // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. № 7. P. 3109−3112.
14. Sowers A.T., Christman J.A., Bremser M.D., Ward B.L., Davis R.F. Thin films of aluminium nitride and aluminium gallium nitride for cold cathode application // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 16. P. 2289−2291.
15. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир. 1984. 326 с.
16. Туннельные явления в твердых телах / Под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста. М.: Мир. 1973. 367 с.
17. Дьяконов В.П.Maple 10/11/12/13/14 в математических расчетах. М.: ДМК-Пресс. 2014. 800 с.
18. Никифоров К.Г., Коржавый А.П., Горбачев В.В.и др. Дефекты и физические свойства многокомпонентных электронных материалов // Под ред. К.Г. Никифорова. Калуга: КГПУ. 1999. 215 с.
19. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Влияние диэлектрического нанослоя на эмиссионные свойства структур Al-Al2O3 и Be‑BeO // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. 2009. № 11(79). С. 153−159.
20. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Моделирование процессов инжекции и эмиссии носителей заряда в наноструктурах на основе нитрида алюминия // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2012. Т. 12. № 2. С. 58−60.
21. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир. 1973. 435 с.
22. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Поверхностная и объемная модификация эмитирующих наноструктур Al-AlN и Al-Al2O3 ионной бомбардировкой // Известия ВУЗов. Физика. 2013. Т. 56. № 1−2. С. 23−26.
23. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г.Моделирование селективного распыления ионной бомбардировкой нанослоев диэлектрических бинарных соединений // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2014. Т. 14. № 3. С. 136−139.
24. Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Никифоров К.Г. Моделирование селективного катодного распыления He-Ne бомбардировкой нанослоев BeO // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2015. Т. 15. № 3. С. 169−172.
25. Никифоров Д.К. Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Be-BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки: Дис. - канд. физ.-мат. наук. М. 2006. 191 с.