350 rub
Journal Electromagnetic Waves and Electronic Systems №1 for 2016 г.
Article in number:
Simulated physical studies of emitting nanostructures for laser technology
Keywords: electronic metal-insulator structure nanostructure electronic emission electronic injection electron trap current limited by space charge
Authors:
D.K. Nikiforov - Ph. D. (Phys.-Math.), Associate Professor, Financial University - Kaluga Branch, Kaluga branch of the Bauman MSTU. E-mail: DKNikiforov@fa.ru
Abstract:
Computer simulation is reviewed for the processes of injection and emission in the emitted nanostructures based on BeO, Al2O3, AlN. Injection Frenkel-Poole currents and tunnel Fowler-Nordheim ones were analyzed in the conditions of various applied fields and di-electric layer thickness. Currents limited by space charge are analyzed at various applied fields and electron trap parameters.
Pages: 85-90
References

 

  1. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. EHmittirujushhie nanostruktury «metall ? oksid metalla»: fizika i primenenie. Moskva: Izd-vo MGTU im. N.EH. Baumana. 2009. 156 s.
  2. Bondarenko G.G., Korzhavyjj A.P., Nikiforov D.K., CHistjakov G.A. Sozdanie ehffektivnykh kholodnykh katodov iz aljuminija i berillija // Perspektivnye materialy. 2007. T. 1. № 2. S. 23−28.
  3. Korzhavyjj A.P., Marin V.P., Sigov A.S. Nekotorye aspekty sozdanija tekhnologijj i konstrukcijj izdelijj kvantovojj ehlektroniki // Naukoemkie tekhnologii. 2002. T. 3. № 4. S. 20−31.
  4. SHulakov A.S., Brajjko A.P., Bukin S.V., Drozd V.E. Svojjstva mezhfazovojj granicy Al2O3/Si // FTT. 2004. T. 46. № 10. S. 1868−1872.
  5. Ezhovskijj JU.K., Klusevich A.I. Diehlektricheskie mnogoslojjnye nanostruktury oksidov tantala i aljuminija // FTT. 2003. T. 45. № 11. S. 2099−2103.
  6. Prudan A.M., Golman E.K., Kozyrev A.B., Kjutt R.N., Loginov V.E. Svojjstva titanata stroncija v mnogoslojjnojj strukture SrTiO3/CeO2/Al2O3 // FTT. 1997. T. 39. № 6. S. 1024−1029.
  7. Abramov I.I., Novik E.G. KHarakteristiki metallicheskikh odnoehlektronnykh tranzistorov na razlichnykh materialakh // FTP. 2000. T. 34. № 8. S. 1014−1019.
  8. Abramov I.I., Ignatenko S.A., Novik E.G. KHarakteristiki mnogoostrovkovykh odnoehlektronnykh cepochek v zavisimosti ot razlichnykh faktorov // FTP. 2003. T. 37. № 10. S. 1231−1234.
  9. Sukhovskijj V.N., Korzhavyjj A.P., Kochurikhin V.E. Nitridy perekhodnykh metallov ? perspektivnye materaly dlja dolgovechnykh plenochnykh katodov // EHlektronnaja tekhnika. Ser. Materialy. 1989. № 6. S. 70−71.
  10. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim tunneling in anodized Al-Al2O3-Au diodes // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. № 11. P. 7903−7912.
  11. Hickmott T.W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized Al-Al2O3-Au // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. № 5. P. 2805−2812.
  12. Lee M.B., Hahm S.H., Lee J.H., Song Y.H.Emission behavior of nm-thick Al2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. P. 123511−123513.
  13. Shi S.C., Chen C.F., Li H.Y., Lo J.T., Lan Z.H., Chen K.H., Chen L.C. Field emission from quasi-aligned aluminium nitride nanotips // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. № 7. P. 3109−3112.
  14. Sowers A.T., Christman J.A., Bremser M.D., Ward B.L., Davis R.F. Thin films of aluminium nitride and aluminium gallium nitride for cold cathode application // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 16. P. 2289−2291.
  15. Kao K., KHuang V. Perenos ehlektronov v tverdykh telakh. M.: Mir. 1984. 326 s.
  16. Tunnelnye javlenija v tverdykh telakh / Pod red. EH. Burshtejjna, S. Lundkvista. M.: Mir. 1973. 367 s.
  17. Djakonov V.P.Maple 10/11/12/13/14 v matematicheskikh raschetakh. M.: DMK-Press. 2014. 800 s.
  18. Nikiforov K.G., Korzhavyjj A.P., Gorbachev V.V.i dr. Defekty i fizicheskie svojjstva mnogokomponentnykh ehlektronnykh materialov // Pod red. K.G. Nikiforova. Kaluga: KGPU. 1999. 215 s.
  19. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Vlijanie diehlektricheskogo nanosloja na ehmissionnye svojjstva struktur Al-Al2O3 i Be‑BeO // Izvestija RGPU im. A.I. Gercena. 2009. № 11(79). S. 153−159.
  20. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Modelirovanie processov inzhekcii i ehmissii nositelejj zarjada v nanostrukturakh na osnove nitrida aljuminija // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2012. T. 12. № 2. S. 58−60.
  21. Lampert M., Mark P. Inzhekcionnye toki v tverdykh telakh. M.: Mir. 1973. 435 s.
  22. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Poverkhnostnaja i obemnaja modifikacija ehmitirujushhikh nanostruktur Al-AlN i Al-Al2O3 ionnojj bombardirovkojj // Izvestija VUZov. Fizika. 2013. T. 56. № 1−2. S. 23−26.
  23. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G.Modelirovanie selektivnogo raspylenija ionnojj bombardirovkojj nanosloev diehlektricheskikh binarnykh soedinenijj // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2014. T. 14. № 3. S. 136−139.
  24. Nikiforov D.K., Korzhavyjj A.P., Nikiforov K.G. Modelirovanie selektivnogo katodnogo raspylenija He-Ne bombardirovkojj nanosloev BeO // Fundamentalnye problemy radioehlektronnogo priborostroenija. 2015. T. 15. № 3. S. 169−172.
  25. Nikiforov D.K. EHmitirujushhie tonkoplenochnye struktury Al-Al2O3 i Be-BeO v uslovijakh ionno-ehlektronnojj bombardirovki: Dis. - kand. fiz.-mat. nauk. M. 2006. 191 s.