Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2021 г.
Статья в номере:
Оптические свойства атомно-тонких пленок топологического изолятора Bi2Se3
Тип статьи: научная статья
DOI: https://doi.org/10.18127/j20700970-202102-11
УДК: 538.945
Авторы:

А.В. Фролов1, А.П. Орлов2, А.Г. Темирязев3

1,2 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

3 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Россия)

 

Аннотация:

Постановка проблемы. Для изучения транспортных свойств атомно-тонких пленок топологических изоляторов очень важно максимально точно определять их толщину, а также состояние поверхности.  

Цель. Получить атомно-тонкие пленки топологического изолятора Bi2Se3 и определить по оптическим свойствам их толщины, а также степени деградации поверхности.

Результат. Разработана методика, позволяющая получать монокристаллические пленки большой площади и различной толщины на оптически прозрачных подложках. Установлена зависимость прозрачности от количества атомных слоев (квинтиплов Bi2Se3) в пленке. Получена точная зависимость прозрачности от числа слоев, которая хорошо согласуется с теорией. В результате наблюдения за изменением прозрачности пленок со временем установлена связь с деградацией ее поверхностных слоев.

Практическая значимость. Полученные результаты могут быть использованы для оптического контроля качества атомно-тонких пленок квазидвумерных соединений, а также для изготовления различных микро- и наноструктур на их основе, что дает возможность создать новую элементную базу электронных устройств.

Страницы: 48-51
Для цитирования

Фролов А.В., Орлов А.П., Темирязев А.Г. Оптические свойства атомно-тонких пленок топологического изолятора Bi2Se3

// Нелинейный мир. 2021. Т. 19. № 2. С. 48−51. DOI: https://doi.org/10.18127/j20700970-202102-11

Список источников
  1. Frolov A.V. et al. Magnetoresistance of a Two-Dimensional TbTe3 Conductor in the Sliding Charge-Density Wave Regime // JETP Letters. 2018. V. 107. № 8. P. 488−492.
  2. Frolov A.V. et al. Features of pinning of a charge-density wave in quasi-two-dimensional compounds // JETP Letters. 2019. V. 109. № 3. P. 203−206.
Дата поступления: 29.04.2021
Одобрена после рецензирования: 17.05.2021
Принята к публикации: 27.05.2021