350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №1 за 2016 г.
Статья в номере:
Фотогальванический эффект вследствие оптических переходов между краевыми и объемными состояниями в топологическом изоляторе HgTe/CdTe
Ключевые слова: топологический изолятор фототок фото-ЭДС
Авторы:
П.П. Асеев - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: pavel.p.aseev@gmail.com В.О. Каладжян - аспирант, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: vardashka@gmail.com С.Н. Артеменко - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). Е-mail: art@cplire.ru
Аннотация:
Исследованы оптические переходы (терагерцевый диапазон) между краевыми и объемными состояниями в двумерном топо-логическом изоляторе HgTe/CdTe. Показано, что наличие электронно-дырочной асимметрии приводит к зависимости вероятности переходов от спина, что, в свою очередь, приводит к возникновению фототока в краевом состоянии.
Страницы: 12-14
Список источников

 

  1. Konig M., Buhmann H. et al. The quantum spin Hall effect: theory and experiment // J. Phys. Soc. Jpn 77. 031007. 2008.
  2. Diehl H., Shalygin V.A. et al. Nonlinear magnetogyrotropic photogalvanic effect // Physical Review B. 88. 045414. 2013.
  3. Bernevig B.A., Hughes T.L., Zhang S.-C. Quantum spin Hall effect and topological phase transition in HgTe quantum wells // Science 314. 1757. 2006.