Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову gaas
Исследование взаимодействия плазмы с непроводящей поверхностью в пучково-плазменном разряде при слабом магнитном поле
В. В. Песков - аспирант ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vadim_p@plasta.mephi.ru Е. Г. Шустин - д.ф.-м.н., ст. научн. сотр., вед. научн. сотр. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Фрязинский филиал)
Широкополосные СВЧ-ограничители мощности на арсениде галлия
С.И. Толстолуцкий - к.т.н., начальник сектора РНИИРС. E-mail: tolstolutsky_ si@mail.ru А.И. Ли - руководитель группы РНИИРС В.В. Казачков - инженер, РНИИРС Г.П. Синявский - д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой ПЭиКМ, физический факультет, ЮФУ. E-mail: sinyavsky@sfedu.ru
Термодинамика легирования (Al)GaAs в мос-гидридной эпитаксии с использованием CCl4
Созыкин A.C. - инженер-технолог, ОАО «Восход»-КРЛЗ. E-mail: sozykin_anton@mail.ru Стрельченко С.С. - д. т. н., проф., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Головатый Ю.П. - ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана Ладугин М.А. - инженер, к. т. н., ООО «Сигм Плюс» Мармалюк А.А. - д. т. н., зам. директора, ООО «Сигм Плюс»
Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой, Воронежский государственный университет А.В. Иванцов - к.т.н., преподаватель, Военный авиационный инженерный университет И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент, Воронежский государственный университет Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент, Воронежский государственный университет
Широкополосный твердотельный многоразрядный аттенюатор миллиметрового диапазона
А.И. Ли - руководитель группы ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: LeeAndrey67@yandex.ru С.И. Толстолуцкий - к.т.н., начальник сектора ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: tolstolutsky_si@mail.ru Д.А. Трухов - инженер-технолог ФГУП «РНИИРС» ФНПЦ. E-mail: truhov@rambler.ru
Формирование контактов при росте Al пленок методом СВЕ на поверхности арсенида галлия
Е.В. Каевицер - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория № 176, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: katrin125@mail.ru Т.А. Брянцева - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН В.Е. Любченко - д.ф.-м.н., профессор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru И.С. Коровченко - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: korovchenko@vsu.ru Ю.Н. Нестеренко- к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: nesterenko@phys.vsu.ru В.А. Степкин - к.ф.-м.н., ассистент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: stepkin@phys.vsu.ru Г.К. Усков - к.ф.-м.н., доцент кафедры электроники. ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет». E-mail: uskov@phys.vsu.ru
Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием
Э.А. Ильичев - д.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский университет «МИЭТ». E-mail: edil44@mail.ru С.А. Кострюков - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Региональный центр зондовой микроскопии коллективного пользования при Рязанском государственном радиотехническом университете. E-mail: me@rsreu.ru Г.П. Жигальский - д.т.н., профессор, Национальный исследовательский университет «МИЭТ». E-mail: gp@zhigalskii.com Т.А. Холомина - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Биомедицинская и полупроводниковая электроника», Рязанский государственный радиотехнический университет. E-mail: me@rsreu.ru В.Г. Литвинов - к.ф.-м.н., доцент, кафедра «Биомедицинская и полупроводниковая электроника», Рязанский государственный радиотехнический университет. E-mail: me@rsreu.ru
Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb
С.А. Айтхожин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А.С. Артемов - д.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН П.С. Белоусов - к.х.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Бобылев - мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Е.В. Каевицер - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН В.Е. Любченко - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.П. Петров - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.Ш. Темиров - к.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.Б. Фарафонов - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Эпитаксиальный рост GaAs на подложках NiSb
С.А. Айтхожин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А.С. Артемов - д.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН П.С. Белоусов - к.х.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Бобылев - мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Е.В. Каевицер - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН В.Е. Любченко - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.П. Петров - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.Ш. Темиров - к.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.Б. Фарафонов - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на генерацию терагерцевого излучения
А.Н. Зарубин - вед. технолог, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) Р.А. Редькин - электроник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) С.Ю. Саркисов - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) М.С. Скакунов - вед. технолог, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) О.П. Толбанов - д.т.н., профессор, зав. лабораторией, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) А.В. Тяжев - науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск). E-mail: redkin@mail.tsu.ru
Программный комплекс расчета начального участка ВАХ резонансно-туннельного диода с возможностью проведения машинного статистического эксперимента

К.В. Черкасов – аспирант, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: kvche@mail.ru

С.А. Мешков – к.т.н., доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: sb67241@mail.ru

Ю.А. Иванов – д.ф.-м.н., профессор, МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: y-a-ivanov@mail.ru

М.О. Макеев – к.т.н., инженер 1-й кат., МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: mc.stiv@gmail.com

Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs и монокристаллов Cd0,9Zn0,1Te

Ю.М. Дикаев – к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал (ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН)

E-mail: ymd217@ire216.msk.su

А.А. Кудряшов –  науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова  Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал. (ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН)

E-mail: aka217@ire216.msk.su

А.Г. Петров –  науч. сотрудник, Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (РАН), Фрязинский филиал. (ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

E-mail: agp217@ire216.msk.su

Рентгеновский детектор на основе эпитаксиальных структур GaAs в режиме скользящего облучения

Ю.М. Дикаев1, А.А. Кудряшов2

1,2 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН,

Фрязинский филиал (г. Фрязино, Моск. обл., Россия)

1 ymd289@yandex.ru, 2 aka217@ire216.msk.su

Разработка монолитной интегральной схемы СВЧ-переключателя на основе GaAs pHEMT-технологии

Д.В. Клименко1, А.Б. Никитин2, А.А. Строганов3, И.А. Цикин4

1 ООО «Специальный технологический центр» (Санкт-Петербург, Россия)

2-4 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург, Россия)

1 devklimenko@stc-spb.ru; 2 nikitin@mail.spbstu.ru; 3 stroganov.aa@edu.spbstu.ru; 4 tsikin@mail.spbstu.ru

Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона частот 5−10 ГГц

Д.В. Кантюк1, С.И. Толстолуцкий2, К.А. Хара3

1–3 ФГУП «РНИИРС» (г. Ростов-на-Дону, Россия)

1 Kantyuk_dv@mail.ru, 2tolstolutsky_si@mail.ru