350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Формирование контактов при росте Al пленок методом СВЕ на поверхности арсенида галлия
Авторы:
Е.В. Каевицер - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория № 176, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: katrin125@mail.ru
Т.А. Брянцева - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
В.Е. Любченко - д.ф.-м.н., профессор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация:
Исследовано влияние облучения лазера (λ = 514 нм) при росте Al пленок методом CBE на поверхности GaAs. Показано, что композиционный состав области, находящейся непосредственно под лазерным пятном, отличается от области вне его действия. Морфология поверхности имеет структуру нановискеров.
Страницы: 114-115
Список источников