С.А. Айтхожин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А.С. Артемов - д.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН П.С. Белоусов - к.х.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Бобылев - мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Е.В. Каевицер - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН В.Е. Любченко - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.П. Петров - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.Ш. Темиров - к.ф.-м.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.Б. Фарафонов - к.т.н., Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Исследованы условия выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия на поверхности монокристаллов соединения никель-сурьма - интерметаллида с металлическим типом проводимости, при этом учитывались следующие факторы: близость периодов кристаллических решеток арсенида галлия в плоскости (111) и антимонида никеля в плоскости (0001); доступность и дешевизна исходных компонентов - никеля и сурьмы - достаточно высокой чистоты; существование на диаграмме состояния только одного соединения NiSb.