Д.В. Кантюк1, С.И. Толстолуцкий2, К.А. Хара3

1–3 ФГУП «РНИИРС» (г. Ростов-на-Дону, Россия)

1 Kantyuk_dv@mail.ru, 2tolstolutsky_si@mail.ru

Постановка проблемы. Одной из особенностей современного этапа развития СВЧ-электроники является широкое применение монолитных интегральных схем (МИС). Интерес разработчиков радиоэлектронной аппаратуры к МИС вызван не только лучшими СВЧ-характеристиками, по сравнению с модулями, выполненными по гибридной технологии, но также экономической целесообразностью, простотой настройки и воспроизводимостью параметров готовых изделий, что особенно важно при производстве систем с большим количеством повторяемых элементов, в частности, активных фазированных антенных решеток (АФАР) [1, 2]. Неотъемлемой частью приемопередающих трактов подобных систем являются МИС малошумящих усилителей (МШУ). Таким образом, разработка и изготовление МИС МШУ на отечественной технологической базе является актуальной задачей.

Цель. Реализация согласованной МИС СВЧ малошумящего усилителя с рабочим диапазоном частот от 5 до 10 ГГц с коэффициентом шума не более 1,2 дБ и коэффициентом усиления не менее 20 дБ.

Результаты. На основе выбранных транзисторов и электрической схемы разработана МИС двухкаскадного МШУ с рабочим диапазоном частот от 5 до 10 ГГц. Экспериментальное исследование изготовленных образцов МШУ показало, что в диапазоне частот от 5 ГГц до 10 ГГц коэффициент шума не превышает 1,2 дБ, при этом минимальное значение коэффициента усиления в рабочей полосе составляет 21 дБ.

Практическая значимость. Применение разработанной микросхемы позволит снизить долю электронной компонентной базы иностранного производства в отечественной радиоэлектронной аппаратуре.

Кантюк Д.В., Толстолуцкий С.И., Хара К.А. Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя диапазона частот
5–10 ГГц // Успехи современной радиоэлектроники. 2024. T. 78. № 7. С. 68–74. DOI: https://doi.org/10.18127/j20700784-202407-07

1. Викулов И. Монолитные интегральные схемы СВЧ – Технологическая основа АФАР // Электроника, наука, технология, бизнес. 2012. №7. С. 60−73.
2. Бова Н.Т., Ефремов Ю.Г., Конин В.В. Микроэлектронные устройства СВЧ. К.: Техника. 1984.
3. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники / Пер. с англ. М.: Бином. 2014.
4. Бабак Л.И. «Визуальное» проектирование корректирующих и согласующих цепей полупроводниковых СВЧ-устройств // Докл. ТУСУРа. № 6. 2007. С. 11–23.
5. Дрюкова М.В., Кравченко А.А., Толстолуцкий С.И., Хара К.А. Малошумящий усилитель диапазона частот 2–5 ГГц // Общие вопросы радиоэлектроники. Ростов-на-Дону: ФГУП «РНИИРС». 2020. Вып. 1 (27). С. 52–57.
6. Аверина Л.И., Бессонов Д.А., Рыбалкин Р.А., Аверин Е.В. Экстракция параметров моделей гетероструктурного полевого транзистора // Вестник ВГУ. Сер. Физика. Математика. 2012. № 1.