350 руб
Журнал «Успехи современной радиоэлектроники» №10 за 2015 г.
Статья в номере:
Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на генерацию терагерцевого излучения
Ключевые слова: дипольная антенна терагерцевое излучение полуизолирующий GaAs терагерцевая спектроскопия
Авторы:
А.Н. Зарубин - вед. технолог, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) Р.А. Редькин - электроник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) С.Ю. Саркисов - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) М.С. Скакунов - вед. технолог, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) О.П. Толбанов - д.т.н., профессор, зав. лабораторией, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск) А.В. Тяжев - науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет (г. Томск). E-mail: redkin@mail.tsu.ru
Аннотация:
Разработаны и изготовлены фотопроводящие дипольные антенны на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хромом (SI-GaAs). Протестировано три типа антенн: антенна-бабочка, трапециевидная и полосковая. Установлено, что при возбуждении фемтосекундным лазером в антеннах на основе SI-GaAs со временем жизни неравновесных носителей заряда порядка 100 нс может быть генерировано терагерцевое излучение в диапазоне 0,05-1,5 ТГц. Обнаружено, что наи- более эффективным излучателем является полосковая антенна длиной 150 мкм.
Страницы: 159-161
Список источников

 

  1. Miyamaru F., Saito Yu., Yamamoto K., Furuya T., Nishizawa S., Tani M. Dependence of emission of terahertz radiation on geomet- rical parameters of dipole photoconductive antennas // Applied Physics Letters. 2010. V. 96. P.211104-1-3.
  2. Shi W., Jia W.-L., Hou L., Xu J.-Z., Zhang X.-C. Terahertz radiation from large aperture bulk semi-insulating GaAs photoconductive dipole antenna // Chinese Physics Letters. 2004. V. 48. P.1020-1027.
  3. Roehle H., Dietz R.J.B., Hensel H.J., Bottcher J., Kunzel H., Stanze D., Schell M., Sartorius B.Next generation 1.5 µm terahertz an- tennas: mesa-structuring of In-GaAs/InAlAs photoconductive layers // Optics Express. 2010. V. 18. № 3. P.2296-2301.
  4. Sarkisov S.Yu., Safiullin F.D., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Nazarov M.M., Shkurinov A.P.Dipole antennas based on SI-GaAs:Cr for generation and detection of terahertz radiation // Russian Physics Journal. 2013. V. 53. № 8. P.890-898.