Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову schottky barrier
Селективно-чувствительные МПМ-фотодетекторы ультрафиолетовой части спектра*
С.В. Аверин - д. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: sva278@ire216.msk.su П.И. Кузнецов - к. х. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: PIK218@ire216.msk.su В.А. Житов - ст. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vaz215@ire216.msk.su Н.В. Алкеев - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru В.М. Котов - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vmk277@ire216.msk.su А.А. Дорофеев - руководитель отдела Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru Н.Б. Гладышева - вед. специалист Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru
Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru П.Б. Лагов - к.т.н., доцент, кафедра «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников», НИТУ «МИСиС». E-mail: lagov2000@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Е.С. Роговский - вед. инженер, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Исследование наногетероструктур с переходами сверхпроводник - полупроводник - нормальный металл
Д.В. Нагирная - студент, МФТИ; инженер ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Тарасов - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Исследование наногетероструктур с переходами сверхпроводник - полупроводник - нормальный металл
Д.В. Нагирная - студент, МФТИ; инженер ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Тарасов - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Перспективные конструкции умножителей частоты субмиллиметрового диапазона длин волн
Е.В. Белькова - бакалавр, студентка, МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: belkovaevgenia@gmail.ru Н.В. Федоркова - к.т.н., доцент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: nvf-family@mail.ru
Особенности конструирования преобразователей частоты терагерцевого диапазона

С.А. Мешков – к.т.н., доцент, 

кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана

Е-mail: meschkow@bmstu.ru

Н.В. Федоркова – к.т.н., доцент, 

кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана Е-mail: nvf@bmstu.ru

Модернизация квазимонолитного усилителя мощности СВЧ-диапазона

В.А. Иовдальский1, Н.В.Ганюшкина2, В.П. Марин3, И.Н. Аюпов4, П.А. Сторин5

1,2,4,5 АО «НПП «Исток» им. Шокина» (Моск. обл., г. Фрязино, Россия)
3 Российский технологический университет (РТУ) МИРЭА (Москва, Россия)