350 руб
Журнал «Радиотехника» №2 за 2017 г.
Статья в номере:
Перспективные конструкции умножителей частоты субмиллиметрового диапазона длин волн
Авторы:
Е.В. Белькова - бакалавр, студентка, МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: belkovaevgenia@gmail.ru Н.В. Федоркова - к.т.н., доцент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: nvf-family@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрены современные конструкции варакторных умножителей частоты субмиллиметрового диапазона длин волн с диодами Шоттки, в том числе балансных удвоителей и утроителей. Определена их элементная база и предельная выходная мощность. Выявлены пути улучшения параметров диодов с барьером Шоттки и способы увеличения выходной мощности умножителей. Показано, что методики расчета конструкций диапазона СВЧ могут применяться для расчета устройств субмиллиметрового диапазона. Проведена оценка перспектив проектирования умножителей частоты субмиллиметрового диапазона.
Страницы: 93-98
Список источников

 

  1. Maestrini A., Thomas B., Wang H., Jung C., Treuttel J., Jin Y., Chattopadhyay G., Mehdi I., Beaudin G. Schottky diode based terahertz frequency multipliers and mixers // Comptes Rendus Physique. 2010. V. 11. P. 480−495.
  2. Sollner T., Brown E., Le H. Microwave and Millimeter-Wave Resonant-Tunneling Devices // The Lincoln Laboratory Journal. 1988. V. 1(1). P. 89−106.
  3. Maestrini A., Ward J., Gill J., Javadi H., Schlecht E., Tripon-Canseliet C., Chattopadhyay G., Mehdi I. A 540−640-GHz High-Efficiency Four-Anode Frequency Tripler // IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 2005. V. 53(9). P. 2835−2843.
  4. Chattopadhyay G., Schlecht E., Ward J., Gill J., Javadi H., Maiwald F., Mehendi I. An All-Solid-State Broad-Band Frequency Multiplier Chain at 1500 GHz // IEEE Transaction microwave theory and techniques. 2004. V. 52(2). P. 1538−1547.
  5. Siegel P. Terahertz Technology // IEEE Transaction microwave theory and techniques. 2002. V. 50(3). P. 910−928.
  6. Bruston J., Maestrini A., Pukala D., Martin S., Nakamura B., Mehdi I. A 1.2 THz planar tripler using GaAs membrane based chips // 12th International Symposium on Space Terahertz Tehnology. San Diego. 2001.
  7. Lee C., Ward J., Lin R., Schlecht E., Chattopadhyay G., Gill J., Thomas B., Maestrini A., Mehdi I., Siegel P. A Wafer- Level Diamond Bonding Process To Improve Power Handling Capability of Submillimeter-wave Schottky Diode Multipliers // IEEE MTT-S International, in Microwave Symposium Digest. Boston. 2009. P. 957−960.
  8. Maestrini A., Ward J.S., Tripon-Canseliet C., Gill J.J., Lee C., Javadi H., Chattopadhyay G., Mehdi I. In-Phase Power- Combined Frequency Triplers at 300 GHz // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 2008. V. 18(3). P. 218−220.
  9. Maestrini A., Ward J., Gill J., Javadi H., Schlecht E., Tripon-Canseliet C., Chattopadhyay G., Mehdi I. A 540-640 GHz High Eciency Four Anode Frequency Tripler // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2005.V. 53. P. 2835−2843.
  10. Tuovinen J., Erickson N.R. Analysis of a 170 GHz frequency doubler with an array of planar diodes // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1995. V. 43(4). P. 962−968.