350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов
Ключевые слова: плазмохимическое травление p-i-n СВЧ-диод источник высокоплотной плазмы барьер Шоттки формирование микрорельефа
Авторы:
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Е.С. Роговский - вед. инженер, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Аннотация:
Приведены результаты использования плазмохимического травления кремния на установка реактивно-ионного травления с источником высокоплотной плазмы индукционного типа «Плазмаком-203», как для утонения по всей площади пластины, так и для формирования мезаструктур с последующей защитой алюмосиликатным стеклом.
Страницы: 57-60
Список источников

  1. Филатов М.Ю., Роговский Е.С., Колмакова Т.П., Меженный М.В., Дренин А.С. Исследование и устранение причин брака при производстве мощных кремниевых p-i-n-диодов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 2. 2012. С. 77-86.