350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №2 за 2015 г.
Статья в номере:
Исследование наногетероструктур с переходами сверхпроводник - полупроводник - нормальный металл
Ключевые слова: барьер Шоттки оксид титана оксид хрома БХЭ СИН
Авторы:
Д.В. Нагирная - студент, МФТИ; инженер ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Тарасов - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация:
Изготовлены и исследованы болометры с барьером Шоттки из Ti/TiOх/Al и Cr/CrOх/Al вместо обычных болометров с туннельными СИН переходами; получены полупроводниковые зависимости температуры от нормального сопротивления для оксида титана и оксида хрома; на образцах с Ti была измерена оптическая мощность эквивалентная шуму на уровне 3,5-10?17 Вт/Гц1/2.
Страницы: 43-45
Список источников

 

  1. LeonidS.Kuzmin (2012). Cold-ElectronBolometer / Bolometers. Prof. Unil. Perera(Ed.)http://www.intechopen.com/ books/bolometers/cold-eectron-bolometers
  2. OttoE., TarasovM., Kuzmin L.Ti-TiO2?Al normal metal-insulator-superconductor tunnel junctions fabricated in direct-write technology // Supercond. Sci.Technol. 2007. V. 20. 085020.
  3. Kuzmin L.S., Pashkin Yu.A., Tavkhelidze A.N., Ahlers F.J., Weimann T.An all-chromium single electron transistor: A possible new element of single electronics //Appl.Phys.Lett. V. 68. № 20. 13 May 1996.
  4. OttoE., TarasovM., Grimes P.et al. Optical response of a titanium-based cold-electron bolometer // SupercondSci.Technol. 2013. V. 26.Р. 865.
  5. KuzminL. S., Pashkin Yu. A., PekolaJ. P. Fabrication and characterization of chromium based single-electron transistors with evaporated chromium oxide barrier tunnel junctions //J. Vac. Sci.Technol. B.1999. V.17. № 4.