Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову field-effect transistor
Перспективы создания СВЧ-элементов на основе полупроводниковых алмазных материалов
А.А. Алтухов - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.С. Бугаев - академик, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.Н. Зяблюк - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, ООО ПТЦ «УралАлмазИнвест» А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г.В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой
Д.В. Фатеев - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского. Е-mail: FateevDV@yandex.ru В.В. Попов - д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН Т. Отсуджи - сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония) Я.М. Мезиани - зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания) Д. Кокилат - сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) В. Кнап - зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) С.А. Никитов - д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Адаптивный к помехам усилительный каскад
А.М. Бобрешов - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой электроники, Воронежский государственный университет E-mail: bobreshov@phys.vsu.ru Н.Н. Мымрикова - д.ф.-м.н., профессор, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: ninamymrikova@gmail.com А.А. Яблонских - аспирант, кафедра электроники, Воронежский государственный университет E-mail: jablonskihaa@yandex.ru
Наноэлектронные биосенсоры для диагностики онкологических заболеваний

Т.С. Романова – к.б.н., мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: romtatyana@mail.ru

К.А. Мальсагова – к.б.н. мл. науч. сотрудник, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: f17-1086@yandex.ru

Т.О. Плешакова – д.б.н., зам. директора по научной работе, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: pleshakova@gmail.com

А.А. Валуева – мл. науч. сотрудник, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии 

им. В.Н. Ореховича» (Москва); Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева (Москва)

E-mail: varuevavarueva@gmail.com

Р.А. Галлиулин – ведущий программист, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: rafael.anvarovich@gmail.com

В.С. Зиборов – вед. специалист, Научно-исследовательский институт биомедицинской химии  им. В.Н. Ореховича (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ziborov.vs@yandex.ru

О.Ф. Петров – академик РАН, д.ф.-м.н., директор Объединенного института высоких температур РАН (Москва)

E-mail: ofpetrov@ihed.ras.ru

В.Г. Никитаев – д.т.н., профессор, зав. кафедрой компьютерных медицинских систем, 

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

А.Н. Проничев – к.т.н., первый зам. заведующего кафедрой компьютерных медицинских систем,  Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва)

E-mail: kaf46@mail.ru

Е.А. Дружинина – аспирант, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (Москва) E-mail: kaf46@mail.ru

Ю.Д. Иванов – д.б.н., профессор, зав. лабораторией нанобиотехнологии, 

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича (Москва)

E-mail: yurii.ivanov.nata@gmail.com

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Подготовка поверхности подложки кремниевых нанопроволочных полевых транзисторов для создания биосенсора

А.А. Черемискина¹, В.М. Генералов², А.С. Сафатов³, Г.А. Буряк4, А.Л. Асеев5

1-4 ФБУН ГНЦ вирусологии и биотехнологии «Вектор» Роспотребнадзора (р.п. Кольцово, Новосиб. обл., Россия)

5 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (г. Новосибирск, Россия);

Новосибирский государственный университет (г. Новосибирск, Россия)

Сверхширокополосный усилитель мощности СВЧ

А.В. Бобров1, В.Н. Вьюгинов2, И.Г. Киселёв3, М.Ш. Тугушев4

1,3,4 АО «Светлана-Электронприбор»  (Санкт-Петербург, Россия)

2 СПб ГЭТУ (ЛЭТИ), (Санкт-Петербург, Россия)