Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову microwave electronics
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар»
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». e-mail: makarov.pulsar@gmail.com М.В. Пашков - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: michaelpashkov@yandex.ru Р.И. Тычкин - зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru
Результаты российско-белорусского научно-технического сотрудничества по созданию новых типов наногетероструктур
В.В. Попов - к.т.н., президент ПАО «Светлана» (Москва) В.М. Устинов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.П. Чалый - к.ф.-м.н., директор АО «Светлана - Рост» Д.М. Красовицкий - к.х.н., главный конструктор, АО «Светлана - Рост» И.С. Тарасов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.А. Клевцов - к.т.н., зам. ген. директора по научно-техническому развитию, ПАО «Светлана» (Москва) С.А. Калинин - начальник отдела научно-технического развития, ПАО «Светлана» (Москва) Ю.П. Яковлев - д.ф.-м.н, гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) Н.А. Малеев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) С.В. Иванов - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН E-mail: post@mail.ioffe.ru
Трехзазорный резонатор для умножителей частоты клистронного типа миллиметрового диапазона длин волн

В.Ю. Мучкаев – к.т.н., доцент,  кафедра «Электронные приборы и системотехника», 

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: muchkaev_vadim@mail.ru

В.А. Сенчуров – к.т.н., доцент,  кафедра «Электронные приборы и системотехника», 

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: senchurov_v86@mail.ru