№2 за 2014 г.
- Полуизолирующие 6Н-SiC подложки для применения в современной электронике С. 4-10
- Оптимизация технологии механической обработки поверхности подложек карбида кремния С. 12-14
- Применение резонансно-туннельных нанодиодов для повышения эффективности преобразователя электромагнитной энергии инвазивных биосенсорных систем на базе технологии радиочастотной идентификации С. 15-20
- Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния С. 22-25
- Перспективы развития отечественной электроники С. 26-31
- Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники С. 32-36
- Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе С. 37-41
- Антибактериальная и ранозаживляющая активность мазей с наночастицами меди на основе производных метилцеллюлозы С. 43-48
