Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния
- 1 к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
- 2 к. ф.-м. н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
- 3 вед. инженер-технолог, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
Ключевые слова:
карбид кремния (SiC)монокристаллы карбид кремнияполуизолирующие подложкикачество подложекмногопроволочная резка монокристаллов
Аннотация
Проведен анализ рынка и выбрано оборудование для резки монокристаллов SiC. Оптимизирована технология резки монокристаллов SiC диаметром 3 дюйма. Показано, что достигнутые в работе параметры прогиба и коробления подложек не превышают 17 мкм, разброс по толщине подложек после резки не превышает 20 мкм.
Для цитирования
Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Травин Н.К. Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2014. № 2. С. 22–25.
Список источников
- http://www.meyerburger.com
- http://www.gti-usa.com/semiconductor/semi_takatori_wiresaw_45SN.aspx