Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники
- 1 к.т.н., зам. директора по науке, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга)
- 2,4,5 инженер-технолог, ООО «МеГа Эпитех» (г. Калуга)
- 3 Генеральный директор ЗАО «ЭЛМАТ» (г. Калуга)
Аннотация
Рассмотрена оригинальная технология выращивания высокоомных p-i-n-структур на основе системы GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии, которая позволяет получать силовые диоды, существенно превосходящие по совокупности основных параметров лучшие кремниевые аналоги. Показано, что особенностью технологии является возможность эффективного управления ключевыми параметрами p-i-n-структуры (обратное напряжение, быстродействие, «мягкость» процесса обратного восстановления, температурная зависимость ВАХ) заданием требуемых технологических режимов.
Для цитирования
Крюков В.Л., Крюков Е.В., Меерович Л.А., Стрельченко С.С., Титивкин К.А. Перспективная технология получения высоковольтных p-i-n-структур GaAs-AlGaAs для силовой электроники // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2014. № 2. С. 32–36.
Список источников
- Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. // Силовая электроника. 2010. № 5. С. 4-10.
- Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич А.Н. // Силовая электроника. 2010. № 2. C.16 - 19.
- Полянский И.// Силовая электроника. 2005. № 2. C.6 - 7.
- Адферов Ж.И., Корольков В.Г., Никитин В.Г., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н. // Письма ЖТФ. 1976. Т. 2. Вып. 2. С. 201 - 205.
- VoitovichV., Rang T., Rang G. // Estonian Lournal of Engineering. 2010. V. 16. № 1. P. 11 - 22.
- КрюковЕ.В., КрюковВ.Л., МееровичЛ.А., СтрельченкоС.С., ТитивкинК.А. // ПатентРФ 2488911 от 19.03.2012. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии.
- Ильинский А.Б., Куценко А.Б., Мельников М.Б. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 1. С. 150 - 160.