Оптимизация технологии механической обработки поверхности подложек карбида кремния
- 1 к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
- 2 к. ф.-м. н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
- 3 вед. инженер-технолог, ЗАО «Светлана-Электронприбор», Санкт-Петербург
Аннотация
Проведен анализ рынка и выбрано оборудование для двусторонней шлифовки и полировки подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6Н диаметром 3 дюйма. Показано, что достигнутые в работе параметры прогиба и коробления подложек не превышают 5 мкм, разброс по толщине не - 1 мкм, а шероховатость поверхности после двусторонней полировки находится в пределах 1-2 нм.
Для цитирования
Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Травин Н.К. Оптимизация технологии механической обработки поверхности подложек карбида кремния // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2014. № 2. С. 12–14.
Список источников
- Лебедев А. А., Белов С. В., Лебедев С. П., Литвин Д. П., Никитина И. П., Васильев А. В., Макаров Ю. Н.,Нагалюк С. С., Смирнов А. Н., Попов В. В., Вьюгинов В. Н., Шифман Р. Г., Кузмичёв Ю. С., Травин Н. К., Венедиктов О. В.Полуизолирующие 6H-SiC подложки для применения в современной электронике // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. № 4.
- Попов В. В., Вьюгинов В. Н., Травин Н. К. Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. № 4.
- http://www.lapmaster.co.uk
- http://www.logitech.co.uk
- http://www.speedfam.com/en/index.html
- http://www.peter-wolters.com/