Влияние качества тонких диэлектрических пленок на надежность интегральных микросхем
- 1 студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 2 к.т.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Определено влияние диэлектрической пленки Si3N4, образующей пассивирующий слой при ионном легировании бором, на надёжность интегральных микросхем. Проведен анализ основных процессов на поверхности пластины, приводящих к ухудшению параметров биполярного транзистора.
Для цитирования
Глотова О.Н., Адарчин С.А. Влияние качества тонких диэлектрических пленок на надежность интегральных микросхем // Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. № 5. С. 3–7.
Список источников
- Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь. 1991. 528 с.
- Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов: Учеб. пособие для студентов вузов. Мн.: Белгосуниверситет. 1998.
- Пат. 2399115 РФ, МПК H01L21/265. Способ ионного легирования бором областей p-n-перехода полупроводниковых приборов и интегральных схем / Болдин В.Н., Безруков А.В., Барабанщиков В.А.; заявитель и патентообладатель(и): АО «Восход»-Калужский радиоламповый завод. № 2009130774/28; заявл. 13.08.2009; опубл. 10.09.2010. Бюл. № 25.
- Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. М.: Металлургия. 1999. 336 с.