Анализ омического контакта системы титанникель с сильно легированным кремнием N-типа
- 1 ст. преподаватель, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 2,4 студент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 3 к.ф.-м.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Аннотация
Отмечено, что омический контакт является одним из наиболее распространенных и значимых для электронных устройств. Рас-смотрена система, представляющая собой альтернативу алюминию - Ti-Ni. Приведены технологические особенности напыления данных металлов. Показаны вольт-амперные характеристики контактов после отжига при различных температурах.
Для цитирования
Скипер А.В., Лазарев Н.С., Зайончковский В.С., Расторгуев И.А. Анализ омического контакта системы титанникель с сильно легированным кремнием N-типа // Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. № 5. С. 8–10.
Список источников
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с.
- Yoon S., Jeon H. A study on the change in phase transition temperature of TiSi2 by adding the Zr element on different Si substrates // J. Korean Phys. Soc. 1999. V. 34. № 4. P. 365−370.
- Clevenger L.A. et al. Study of C49-TiSi2 and C54-TiSi2 formation on doped polycrystalline silicon using in situ resistance measurements during annealing // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. № 12. P. 7874−7881.