Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову high-electron-mobility transistor
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
В.А. Петров - инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v.petrov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru
Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов
А.С. Евсеенков - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер-технолог, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: as.evseenkov@gmail.com В.Е. Земляков - к.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» E-mail: vzml@rambler.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: v11111@yandex.ru С.А. Тарасов - к.ф-м.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) E-mail: SATarasov@mail.ru Я.М. Парнес - аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); вед. инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: jmparnes@gmail.com Н.К. Баловнев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: nikolay5556@gmail.com Е.Е. Куртеев - студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: kusticky@gmail.com А.Н. Лубяной - инженер, АО «Светлана-Электронприбор» E-mail: andrey.lubyanoy@gmail.com