Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову барьер Шоттки
Селективно-чувствительные МПМ-фотодетекторы ультрафиолетовой части спектра*
С.В. Аверин - д. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: sva278@ire216.msk.su П.И. Кузнецов - к. х. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: PIK218@ire216.msk.su В.А. Житов - ст. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vaz215@ire216.msk.su Н.В. Алкеев - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru В.М. Котов - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vmk277@ire216.msk.su А.А. Дорофеев - руководитель отдела Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru Н.Б. Гладышева - вед. специалист Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru
Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru П.Б. Лагов - к.т.н., доцент, кафедра «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников», НИТУ «МИСиС». E-mail: lagov2000@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Е.С. Роговский - вед. инженер, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Исследование наногетероструктур с переходами сверхпроводник - полупроводник - нормальный металл
Д.В. Нагирная - студент, МФТИ; инженер ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Тарасов - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Исследование наногетероструктур с переходами сверхпроводник - полупроводник - нормальный металл
Д.В. Нагирная - студент, МФТИ; инженер ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М.А. Тарасов - д.ф.-м.н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН