Плазмохимическая модификация автоэмиссионных свойств кристаллов кремния различных типов проводимости
- 1 д.т.н., профессор, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 к.т.н., Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 к.т.н., науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Ключевые слова:
микроволновая плазмакристаллический кремнийплазмохимическая модификацияповерхностьсуммарный дипольный моментавтоэмиссия
Аннотация
Обнаружено и теоретически обосновано влияние плазмохимической модификации поверхности на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния различных типов проводимости. Показано, что плазмохимическое травление пластин кремния в высоко-ионизованной микроволновой плазме с использованием различных химически активных газовых сред позволяет управлять в широких пределах порогом напряженности электрического поля, при котором начинасется полевая эмиссия электронов, и максимальными плотностями автоэмиссионных токов.
Для цитирования
Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Плазмохимическая модификация автоэмиссионных свойств кристаллов кремния различных типов проводимости // Радиотехника. 2016. № 10. С. 235–239.
Список источников
- Гуляев Ю.B., Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Морев С.П., Резчиков А.Ф., Синицын Н.И., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. №. 11. С. 63.
- Jin-Woo Han, Jae Sub Oh and M. Meyyappan. Vacuum nanoelectronics: Back to the future??Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Appl. Phys. Lett. 2012. 100. 213505.
- Яфаров Р.К. // ФТП. 2014. Т. 48. №. 4. С. 529.
- Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит. 2009. 216 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977.
- Технология СБИС: в 2-х книгах / Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1985.
- Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука. 2006. 490 с.
Полный текст, PDF
350 ₽