Создание планарно-торцевых автоэмиссионных структур на кремнии и исследование их характеристик
- 1 к.т.н., науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 к.т.н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 3 ст. инженер, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 4 д.т.н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Аннотация
Получены планарно-торцевые структуры на кремнии и исследованы их автоэмиссионные характеристики. Установлено, что существенное влияние на максимальную плотность автоэмиссионного тока оказывает процесс формирования эмиссионных окон в исходной структуре. Показано, что исследованные структуры имеют перспективу применения в приборах вакуумной электроники, интегрированных в существующие полупроводниковые структуры.
Для цитирования
Нефедов Д.В., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Создание планарно-торцевых автоэмиссионных структур на кремнии и исследование их характеристик // Нелинейный мир. 2017. № 2. С. 12–13.
Список источников
- Суздальцев С.Ю., Нефедов Д.В., Огурцов К.Н., Буров А.М. // ПЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 18. С. 37-43.
Полный текст, PDF
350 ₽