Формирование кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100)
- 1 ст. инженер, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 2 д.т.н., зав. лабораторией, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 3 к.т.н., ст. науч. сотрудник, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 4 к.т.н., науч. сотрудник, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
Аннотация
Показано, что при оптимальных длительностях осаждения углерода на кремниевые пластины с естественным оксидным покрытием происходит формирование доменов, латеральные размеры которых стабилизируются на уровне 200 нм, а высоты выступов, полученных плазмохимическим травлением кремния через доменные масковые покрытия, изменяются в интервале от 40 до 80 нм.
Для цитирования
Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Нефедов Д.В. Формирование кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100) // Нелинейный мир. 2016. № 1. С. 74–76.
Список источников
- Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. // ПЖТФ. 2014. Т. 40. В. 7. С. 8.
- Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности / Под ред. К. Оура. М.: Наука. 2006.