Composition of silicon-carbonic of domains on crystals of silicon (100)
- 1 ст. инженер, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 2 д.т.н., зав. лабораторией, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 3 к.т.н., ст. науч. сотрудник, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
- 4 к.т.н., науч. сотрудник, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г. Саратов)
Abstract
It is shown that at optimum duration of sedimentation on silicon plates with a natural oxide coating the lateral sizes of domains are stabilized at the level of 200 nm, and heights of the ledges received by plasmochemical etching of silicon through domain mask coatings change in the range from 40 to 80 nm.
How to cite
Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Нефедов Д.В. Формирование кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100) // Нелинейный мир. 2016. № 1. С. 74–76.
References
- SHanygin V.JA., JAfarov R.K. // PZHTF. 2014. T. 40. V. 7. S. 8.
- Oura K., Lifshic V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katajama M. Vvedenie v fiziku poverkhnosti / Pod red. K. Oura. M.: Nauka. 2006.