Зависимость электропроводности структур a-Si:H/c-Si от предварительной плазменной обработки монокристаллического кремния
- 1 к.т.н., науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
- 2 к.т.н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация
Проведено исследование влияния предварительной обработки монокристаллического кремния в плазме хладона и аргона на изменение электропроводности структур a-Si:H/c-Si.
Для цитирования
Нефедов Д.В., Суздальцев С.Ю. Зависимость электропроводности структур a-Si:H/c-Si от предварительной плазменной обработки монокристаллического кремния // Нелинейный мир. 2014. № 2. С. 74–75.
Список источников
- Турищев С. Ю., Терехов В. А., Паринова Е. В. и др. / Известия вузов. Сер. Материалы электронной техники. 2011. T. 2. С. 3 - 10.
- Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь. 1986. 232 с.