Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме

М.С. Афанасьев; А.В. Буров; В.К. Егоров; Г.В. Чучева

Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме

М.С. Афанасьев¹, А.В. Буров², В.К. Егоров³, Г.В. Чучева⁴

научная статья Страницы: 15-19

¹ к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
² инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
³ к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА
⁴ д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Ключевые слова: ионопучковая диагностика резерфордовское обратное рассеяние сегнетоэлектрическая пленка перовскит оксид магния барий-стронций-титан

Аннотация

Проведены исследования тонких перовскитных пленок барий-стронциевого титаната (Ba_1-xSr_xTiO₃) на монокристаллических подложках типа Si [100], MgO [100] и NdGaO₃ [100] методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионов гелия. Рассмотрены особенности метода РОР-спектроскопии и его ожидаемое следствие при анализе тонких перовскитных пленок Ba_1-xSr_xTiO₃ на различных типах монокристаллических подложек. Определена степень их элементной неоднородности по толщине и степень диффузионного загрязнения атомами подложек.

Для цитирования

Афанасьев М.С., Буров А.В., Егоров В.К., Чучева Г.В. Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2012. № 4. С. 15–19.

Список источников

Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO₃ thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. Р. 693.
Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO₃ thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V 30. P. 522-526.
Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO₃ thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V 56. Р. 527-530.
Hakazawa H., Yamane H., Hirai T.Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO₃ Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Р. 2200-2203.
Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. Р. 480.
Chu W.K.,. Mayer J.M, Nikole M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.
Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.
Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. 1985. B9. Р. 344-351.
Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.
Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Международной НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.
Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. № 3. С. 50-56.
Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.

[1] Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO₃ thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. Р. 693.

[2] Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO₃ thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V 30. P. 522-526.

[3] Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO₃ thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V 56. Р. 527-530.

[4] Hakazawa H., Yamane H., Hirai T.Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO₃ Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Р. 2200-2203.

[5] Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. Р. 480.

[6] Chu W.K.,. Mayer J.M, Nikole M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.

[7] Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.

[8] Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. 1985. B9. Р. 344-351.

[9] Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.

[10] Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Международной НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.

[11] Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. № 3. С. 50-56.

[12] Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи