Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС
- 1 д.т.н., профессор, кафедра физики конденсированных сред, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
- 2 к.ф-м.н., с.н.с. Института Кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (Москва)
- 3 Аспирант, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Аннотация
Рассмотрены особенности формирования кристаллической структуры в гетероструктурах ЦТС-Pt-TiO2-SiO2-Si, сформированных золь-гель методом при различных температурах отжига сегнетоэлектрического слоя ЦТС; показано, что образование перовскитной фазы начинается при отжиге T = 550 C и идет, в основном, гетерогенно на границе раздела с платиной (111) с образованием кристаллитов, ориентированных в направлении (111). Наблюдаемые изменения структуры с ростом температуры отжига приводят к уменьшению величины остаточной поляризации, увеличению нессиметричности петель диэлектрического гистерезиса, уменьшению токов утечки на постоянном сигнале.
Для цитирования
Воротилов К.А., Жигалина О.М., Серегин Д.С. Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2010. № 2. С. 17–22.
Список источников
- Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы. // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 10. С. 30-42.
- Жигалина О.М., Воротилов К.А., Хмеленин Д.Н., Сигов А.С. Структурные особенности пленок цирконата-титаната свинца, сформированных методом химического осаждения из растворов с различным содержанием свинца. // Нано- и микросистемная техника. 2008. №11. С.17-22.
- Воротилов К.А., Жигалина О.М., Васильев В.А., Сигов А.С.Особенности формирования кристаллической струк-
туры цирконата-титаната свинца в системах Si−SiO2−Ti(TiO2)−Pt−Pb(ZrxTi1−x)O3 // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 7. С. 1268-1271.