Technological control of element structure perovskite layer of planar nano structures deposited in HF-plasma

M.S. Afanas-ev V.K Egorov; P.A.Lychnikov; A.V.Byrov; G.V. Chucheva

Technological control of element structure perovskite layer of planar nano structures deposited in HF-plasma

M.S. Afanas-ev V.K Egorov¹, P.A.Lychnikov², A.V.Byrov³, G.V. Chucheva⁴

research article Pages: 15-19

¹ к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
² инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
³ к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА
⁴ д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Keywords: ion-beam diagnostics rutherford backscattering ferroelectric films perovskite magnesium oxide barium-strontium-titanium

Abstract

The Ba_1-xSr_xTiO₃ (BSTO) thin films were investigated on single-crystal substrates Si [100], MgO [100] and NdGaO₃ [100] by the methods of Rutherford helium ion backscattering. The article considered the features of Rutherford backscattering (RBS) spectroscopy and its expected result at the analysis of Ba_1-xSr_xTiO₃ (BSTO) thin films on single-crystal substrates. Using RBS method barium-strontium-titanium (Ba_1-xSr_xTiO₃) films on various substrates are studied. The authors determined the degree of the film thickness elemental heterogeneity and the level of substrate diffusive impurity by the atoms.

How to cite

Афанасьев М.С., Буров А.В., Егоров В.К., Чучева Г.В. Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2012. № 4. С. 15–19.

References

Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO₃ thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. Р. 693.
Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO₃ thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V 30. P. 522-526.
Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO₃ thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V 56. Р. 527-530.
Hakazawa H., Yamane H., Hirai T.Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO₃ Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Р. 2200-2203.
Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. Р. 480.
Chu W.K.,. Mayer J.M, Nikole M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.
Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.
Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. 1985. B9. Р. 344-351.
Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.
Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Международной НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.
Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. № 3. С. 50-56.
Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.

[1] Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO₃ thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. Р. 693.

[2] Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO₃ thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V 30. P. 522-526.

[3] Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO₃ thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V 56. Р. 527-530.

[4] Hakazawa H., Yamane H., Hirai T.Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO₃ Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Р. 2200-2203.

[5] Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. Р. 480.

[6] Chu W.K.,. Mayer J.M, Nikole M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.

[7] Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.

[8] Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. 1985. B9. Р. 344-351.

[9] Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.

[10] Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Международной НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.

[11] Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. № 3. С. 50-56.

[12] Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.

Abstract

How to cite

Related articles