Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии

М.С. Афанасьев; В.К. Егоров; Г.В. Чучева; П.А. Лучников; А.В. Буров

Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии

М.С. Афанасьев¹, В.К. Егоров², Г.В. Чучева³, П.А. Лучников⁴, А.В. Буров⁵

научная статья Страницы: 50-57

¹ к.т.н, ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
² к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН (г. Черноголовка)
³ д.ф-м.н, зав. лабораторией, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
⁴ зав. лабораторией, Московский государственный технический университет МИРЭА
⁵ инженер, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Ключевые слова: ионо-пучковая диагностика резерфордовское обратное рассеяние сегнетоэлектрическая пленка перовскит оксид магния барий-стронций-титан

Аннотация

Методом ионо-пучковой диагностики проведены сравнительные исследования пленок Ba_1-xSr_xTiO₃ (BSTO) толщиной 20-140 нм на монокристаллических подложках Si (100), MgO (100) и NdGaO₃(100). Рассмотрены особенности метода резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионов гелия и водорода. Методом РОР исследованы пленки барий-стронциевого титаната (Ba_1-xSr_xTiO₃) на различных подложках. Определена толщина наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на подложках, степень их элементной неоднородности по толщине, а также степень их диффузионного загрязнения атомами подложек

Для цитирования

Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2011. № 3. С. 50–57.

Список источников

Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO3 thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 693.
Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO3 thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V. 30. P. 522-526.
Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO3 thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V. 56. P. 527-530.
Hakazawa H., Yamane H. Hirai T. Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO3 Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. 2200-2203.
Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. P. 480.
Chu W.K., Mayer J.M., Nikolet M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.
Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.
Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. B9. 1985. P. 344-351.
Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.
Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Междунар. НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.
Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат. 1991.
Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.
Егоров В.К., Егоров Е.В. Афанасьев М.С. Сравнительный анализ эффективности метода РФА ПВО в условиях применения волноводно-резонансного и щелевого формирователей потока возбуждения // Поверхность (рентг., синх., нейтр. исследования). 2008. № 11. С. 34-44.

[1] Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO3 thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 693.

[2] Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO3 thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V. 30. P. 522-526.

[3] Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO3 thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V. 56. P. 527-530.

[4] Hakazawa H., Yamane H. Hirai T. Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO3 Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. 2200-2203.

[5] Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. P. 480.

[6] Chu W.K., Mayer J.M., Nikolet M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.

[7] Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.

[8] Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. B9. 1985. P. 344-351.

[9] Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.

[10] Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Междунар. НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.

[11] Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат. 1991.

[12] Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.

[13] Егоров В.К., Егоров Е.В. Афанасьев М.С. Сравнительный анализ эффективности метода РФА ПВО в условиях применения волноводно-резонансного и щелевого формирователей потока возбуждения // Поверхность (рентг., синх., нейтр. исследования). 2008. № 11. С. 34-44.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи