В.Г. Тихомиров

V.G. Tikhomirov

14 статей 2016–2023

2023

Исследование возможности улучшения чувствительности биосенсоров на основе нитрид-галлиевой наногетероструктуры транзистора с высокой подвижностью электронов для использования в составе многопараметрического инвазивного комплекса Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №4 за 2023 г. С. 25-29
Элементная база в исполнении МИС для радиометрических СВЧ-приемников, применяемых в сельском хозяйстве Электромагнитные волны и электронные системы, №5 за 2023 г. С. 24-31
Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем Радиотехника, №10 за 2023 г. С. 187-193
Микроминиатюризация многоканальных многочастотных радиотермографов (часть 2) Успехи современной радиоэлектроники, №7 за 2023 г. С. 55-68
Микроминиатюризация многоканальных многочастотных радиотермографов (часть 1) Успехи современной радиоэлектроники, №5 за 2023 г. С. 48-63
Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем Радиотехника, №3 за 2023 г. С. 166-173

2022

Исследование влияния погрешностей изготовления на параметры транзисторов для монолитных интегральных схем СВЧ и выявление ключевых факторов, определяющих стабильность их работы в составе миниатюрного радиотермографа Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №4 за 2022 г. С. 25-36
Концепция построения биосенсора на основе HEMT Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №2 за 2022 г. С. 18-22

2020

Исследование и моделирование явления «мягкого пробоя» в СВЧ HEMT на основе нитрида галлия Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №2 за 2020 г. С. 43-47

2017

Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2017 г. С. 19-22

2016

Применение численного моделирования для оценки влияния параметров эксплуатации и внешних воздействий на ВАХ гетероструктурных полевых транзисторов, используемых в РЭА космического назначения Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №4 за 2016 г. С. 49-52
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №2 за 2016 г. С. 37-39
Современные направления биосенсорной диагностики in vivo Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №2 за 2016 г. С. 20-28
Исследование методом математического моделирования ВАХ многопараметрических биосенсоров на основе HEMT-транзисторов без затвора Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2016 г. С. 15-20