Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
- 1 инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург)
- 2 к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург)
Аннотация
Продемонстрировано численное моделирование полевых СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMTs) на основе GaN/AlGaN гетероструктур. Показано, что оптимальная толщина барьерного слоя AlGaN позволяет реализовать режим высокой мощности СВЧ.
Для цитирования
Петров В.А., Тихомиров В.Г. Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2016. № 2. С. 37–39.
Список источников
- Vitanov S., et al. Solid-State Electronics 54. 2010. Р. 1105-1112.
- Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V., Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. P. 244-248.
- Faraclas E., Anwar A. AlGaN/GaN HEMTs: experiment and simulation of DC characteristics. Solid-State Electron 2006. 50(6).1051-6.
- Tikhomirov V. G., Maleev N. A., Kuzmenkov A. G., Solov-ev Yu. V., Gladyshev A. G., Kulagina M. M., Zemlyakov V. E., Dudinov K. V., Yankevich V. B., Bobyl-A. V., Ustinov V. M.Semiconductors. 45. 1352. 2011.
- Polyakov V., Schwierz F. Influence of electron mobility modeling on DC I-V characteristics of WZ-GaN MESFET // IEEE Trans Electron Dev. 2001.48. 512-6.
- Grasser T., Ting-Wei T., Kosina H., Selberherr S. A review of hydrodynamic and energy-transport models for semiconductor device simulation // Proc IEEE .2003. 91(2). 251-74.
- Vurgaftman I., Meyer J., Ram-Mohan L. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. J Appl Phys. 2001. 89(11). 5815-75.
- Liu S., Yang S., Tang Z., Jiang Q., Liu C., Wang M., et al. // IEEE Electron Dev Lett. 2014.35. 723.