Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов

А.С. Евсеенков; В.Е. Земляков; В.Г. Тихомиров; С.А. Тарасов; Я.М. Парнес; Н.К. Баловнев; Е.Е. Куртеев; А.Н. Лубяной

Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов

А.С. Евсеенков¹, В.Е. Земляков², В.Г. Тихомиров³, С.А. Тарасов⁴, Я.М. Парнес⁵, Н.К. Баловнев⁶, Е.Е. Куртеев⁷, А.Н. Лубяной⁸

научная статья Страницы: 19-22

¹ аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер-технолог, АО «Светлана-Электронприбор»
² к.т.н., доцент, Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
³ к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
⁴ к.ф-м.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
⁵ аспирант, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); вед. инженер, АО «Светлана-Электронприбор»
^6,7 студент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина); инженер, АО «Светлана-Электронприбор»
⁸ инженер, АО «Светлана-Электронприбор»

Ключевые слова: HEMT-транзистор СВЧ-транзистор термотренировка AlGaN GaN

Аннотация

Исследовано влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах AlGaN/GaN. Термотренировка проводилась в диапазоне температур 180-250 °С, при времени выдержки 2 ч. Показано сильное влияние низкотемпературного отжига на параметры прямой ветви ВАХ затвор-сток, токи утечки транзистора через закрытый затвор, выходную СВЧ-мощность.

Для цитирования

Евсеенков А.С., Земляков В.Е., Тихомиров В.Г., Тарасов С.А., Парнес Я.М., Баловнев Н.К., Куртеев Е.Е., Лубяной А.Н. Влияние низкотемпературного отжига на низкочастотные и СВЧ-параметры AlGaN/GaN транзисторов // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2017. № 1. С. 19–22.

Список источников

Faraclas E., Anwar A. AlGaN/GaN HEMTs: experiment and simulation of DC characteristics // Solid-State Electron. 2006. V. 50. № 6. Р. 1051-1056.
Byung-Jae Kim, et al. Investigating the effect of thermal annealing on dc performance of off-state drain-voltage step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors // J. Vac. Sci. Technol. 2015. V. B 33, 031204.
Kim H., et al. Reliability evaluation of high power AlGaN/GaN HEMTs on SiC // Phys. Status Solidi A. 2001. № 188. Р. 203-206.
Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V. // Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. Р. 244-248.

[1] Faraclas E., Anwar A. AlGaN/GaN HEMTs: experiment and simulation of DC characteristics // Solid-State Electron. 2006. V. 50. № 6. Р. 1051-1056.

[2] Byung-Jae Kim, et al. Investigating the effect of thermal annealing on dc performance of off-state drain-voltage step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors // J. Vac. Sci. Technol. 2015. V. B 33, 031204.

[3] Kim H., et al. Reliability evaluation of high power AlGaN/GaN HEMTs on SiC // Phys. Status Solidi A. 2001. № 188. Р. 203-206.

[4] Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V. // Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. Р. 244-248.