A mathematical model of the influence of varying zones on the carrier concentration profile of semiconductor structures
- 1 Засл. деятель науки РФ, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А
- 2 д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А
- 3 д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные системы и устройства», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 4 к.х.н., доцент, кафедра полимеров, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Abstract
A varyzone structure model is considered, where recombination channels are switched due to the carriers being dragged by the internal electric field into the region with a lower recombination rate. Such an effect leads to an improvement in a number of technically useful semiconductor properties. Basing on our calculations performed, it was concluded how the dragging of carriers influences on the carrier concentration profile in thin and thick samples.
How to cite
Байбурин В.Б., Кузнецов В.А., Чернышёв С.Л., Шмаков С.Л. Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур // Радиотехника. 2018. № 9. С. 87–92. DOI: https://doi.org/10.18127/j00338486-201809-17
References
- Kuzneczov V.A. Analiz fazovy'x diagramm sistemy' CdS-CdSe-SdTe // FTP. 2010. T. 44. № 9. S. 25−32.
- Kovalenko V.F., Peka G.P., Shepel' L.G. Issledovanie spektrov izlucheniya i vozbuzhdeniya fotolyuminesczenczii varizonny'x poluprovodnikov // FTP. 1977. T. 11. № 11. S. 2084−2088.
- Kovalenko V.F., Peka G.P., Shepel' L.G. Fotolyuminesczentny'e metody' opredeleniya parametrov varizonny'x poluprovodnikov // FTP. 1980. T. 14. № 7. S. 1350−1354.
- Peka G.P., Tokalin O.A., Dryapiko N.K. Katodolyuminesczencziya varizonny'x poluprovodnikov // FTP. 1983. T. 17. № 6. S. 1087−1092.
- Buxarov B.E'., Rokax A.G., Steczyura S.B. Diffuzionnaya model' degradaczionnoj stojkosti geterogennoj fotoprovodyashhej sistemy' // ZhTF. 2003. T. 73. № 2. S. 93−98.
- Shmakov S.L. Raschetny'e aspekty' optimizaczii varizonny'x sloev po vy'xodu lyuminesczenczii // FTP. 1991. T. 25. № 6. S. 1099−1103.
- Rokax A.G., Trofimova N.B. Ob usilenii lyuminesczenczii v uzkozonnoj faze geterogennogo poluprovodnika PbS-CdS. // ZhTF. 2001. T. 71. № 7. S. 140−143.
- Shik A.Ya. Fizika nizkorazmerny'x sistem. SPb.: Nauka. 2001. 160 s.
- Simashkevich A.V. Geteroperexody' na osnove poluprovodnikovy'x soedinenij A2V6. Kishinev: Shtiincza. 1980. 156 s.
- Kovalenko V.F., Peka G.P., Shepel' L.G. Izluchatel'naya rekombinacziya v tonkix varizonny'x strukturax // FTP. 1978. T. 12. № 7. S. 1421−1423.
Full text, PDF
350 ₽