Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур
- 1 Засл. деятель науки РФ, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А
- 2 д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А
- 3 д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные системы и устройства», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- 4 к.х.н., доцент, кафедра полимеров, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Аннотация
Рассмотрена модель варизонной структуры, в которой происходит переключение каналов рекомбинации ввиду затягивания внутренним электрическим полем носителей в область с малой скоростью рекомбинации. Отмечено, что такой эффект приводит к улучшению ряда полезных в техническом отношении свойств полупроводников. На основании проведенных расчетов сделан вывод о влиянии затягивания носителей заряда на профиль их концентрации в тонких и толстых образцах.
Для цитирования
Байбурин В.Б., Кузнецов В.А., Чернышёв С.Л., Шмаков С.Л. Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур // Радиотехника. 2018. № 9. С. 87–92. DOI: https://doi.org/10.18127/j00338486-201809-17
Список источников
- Кузнецов В.А. Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-СdTe // ФТП. 2010. Т. 44. № 9. С. 25−32.
- Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Исследование спектров излучения и возбуждения фотолюминесценции варизонных полупроводников // ФТП. 1977. Т. 11. № 11. С. 2084−2088.
- Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Фотолюминесцентные методы определения параметров варизонных полупроводников // ФТП. 1980. Т. 14. № 7. С. 1350−1354.
- Пека Г.П., Токалин О.А., Дряпико Н.К. Катодолюминесценция варизонных полупроводников // ФТП. 1983. Т. 17. № 6. С. 1087−1092.
- Бухаров Б.Э., Роках А.Г., Стецюра С.Б. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы // ЖТФ. 2003. Т. 73. № 2. С. 93−98.
- Шмаков С.Л. Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции // ФТП. 1991. Т. 25. № 6. С. 1099−1103.
- Роках А.Г., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS // ЖТФ. 2001. Т. 71. № 7. С. 140−143.
- Шик А.Я. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука. 2001. 160 с.
- Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений А2В6. Кишинев: Штиинца. 1980. 156 с.
- Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Излучательная рекомбинация в тонких варизонных структурах // ФТП. 1978. Т. 12. № 7. С. 1421−1423.