Formation of nanostructured states in silumine at highly intensive electron treatment
- 1 д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 2,4 аспирант, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 3 мл. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 5 науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 6 д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 7 аспирант, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
- 8 к.ф.-м.н., доцент, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
- 9 д.ф.-м.н., профессор, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Abstract
The surface layer of silumine having the eutectoid composition was treated by a highly intensive electron beam plasma flows, and then examined by the methods of electron scanning and diffraction transmission microscopy, X-raying, micro-hardness indentation and wear resistivity measurements. There were discovered the modes of electron-plasma treatment allowing one to form submicro- and nanosized multiphase structure in the surface region, whose micro-hardness appears to be several times higher than that one of the initial material. The mode of combined treatment was discovered that makes it possible to ~ 9,5 times increase the silumine micro-hardness with the surface layer thickness of about 100 m. The hardening of the surface layer is shown to be caused by formation of the so-called grain-subgrain aluminum structure with crystallite size of about 80 - 100 nm and the second phase particles educing as well.
How to cite
Иванов Ю.Ф., Петрикова Е.А., Тересов А.Д., Москвин П.В., Будовских Е.А., Коваль Н.Н., Бибик Н.В., Черенда Н.Н., Углов В.В. Образование наноструктурных состояний в силумине при высокоинтенсивной электронной обработке // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2013. № 1. С. 39–43.
