Образование наноструктурных состояний в силумине при высокоинтенсивной электронной обработке
- 1 д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 2,4 аспирант, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 3 мл. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 5 науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 6 д.т.н., профессор, вед. науч. сотрудник, Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
- 7 аспирант, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
- 8 к.ф.-м.н., доцент, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
- 9 д.ф.-м.н., профессор, Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Аннотация
Методами электронной сканирующей и дифракционной просвечивающей микроскопии, рентгеноструктурного анализа, проведены исследования состояния поверхностного слоя силумина эвтектоидного состава, подвергнутого обработке высокоинтенсивным электронным пучком и потоками плазмы; выявлены режимы электронно-ионно-плаз-менной обработки, позволяющие формировать в поверхностном слое субмикро- и наноразмерную многофазную структуру, прочностные (микротвердость) характеристики которой кратно превышают соответствующие для исходного материала.
Для цитирования
Иванов Ю.Ф., Петрикова Е.А., Тересов А.Д., Москвин П.В., Будовских Е.А., Коваль Н.Н., Бибик Н.В., Черенда Н.Н., Углов В.В. Образование наноструктурных состояний в силумине при высокоинтенсивной электронной обработке // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. 2013. № 1. С. 39–43.