Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову heterostructure field transistor (hemt)
Применение численного моделирования для оценки влияния параметров эксплуатации и внешних воздействий на ВАХ гетероструктурных полевых транзисторов, используемых в РЭА космического назначения
В.Г. Тихомиров - к.т.н., доцент, СПбГЭТУ «ЛЭТИ» E-mail: root@post.etu.spb.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: chigikov95@mail.ru