Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову tunnel junction
Измерение температуры и электронное охлаждение СИН-переходами
Р.А. Юсупов - студент, МФТИ. E-mail: usupovrenat@gmail.com
Технологическое использование наночастиц металлов при изменении температуры
Д.Н. Соколов - аспирант, Тверской государственный университет. Е-mail: dnsokolov@mail.ru Н.Ю. Сдобняков - к.ф-м.н., доцент, Тверской государственный университет. Е-mail: nsdobnyakov@mail.ru А.Ю. Колосов - аспирант, Тверской государственный университет. Е-mail: kolosov-au@yandex.ru Н.В. Новожилов - аспирант, Тверской государственный университет. Е-mail: nnowhereman@gmail.com А.С. Антонов - аспирант, Тверской государственный университет. Е-mail: s014451@mail.ru
Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры
Я.В. Туркин - аспирант, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: turkin.yaroslav@gmail.com А.А. Захаров - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Электронные приборы и устройства», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: zaharov@sstu.ru А.А. Швачко - аспирант, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: alexandr1899@gmail.com
Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием*

М.С. Шевченко1, Л.В. Филиппенко2, В.П. Кошелец3

1-3 ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН (Москва, Россия)

1 МФТИ (г. Долгопрудный, Россия)

3 Институт физики микроструктур РАН (Москва, Россия)