350 руб
Журнал «Радиотехника» №7 за 2016 г.
Статья в номере:
Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры
Ключевые слова: математическое моделирование спин-туннельное магнитосопротивление микромагнетизм многослойные наноструктуры
Авторы:
Я.В. Туркин - аспирант, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: turkin.yaroslav@gmail.com А.А. Захаров - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Электронные приборы и устройства», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: zaharov@sstu.ru А.А. Швачко - аспирант, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. E-mail: alexandr1899@gmail.com
Аннотация:
Выведено аналитическое выражение для описания вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной наноструктуры. Задача решена при помощи интерполяции зависимости туннельного магнитосопротивления от напряжения полиномом третьего порядка. Рассчитано туннельное магнитосопротивление по формуле Тсу-Эсаки для спин-зависимого туннельного тока в металлической трехслойной структуре. Зависимость тока, протекающего через структуру, от приложенного напряжения находится из закона Ома.
Страницы: 62-65
Список источников

 

  1. Mancoff F., Hunter-Dunn J., Clemens B. A giant magnetoresistance sensor for high magnetic field measurements // J. Appl. Phys. 2000. V. 77. № 12. P. 1879−1881.
  2. Zhu J. Magnetoresistive Random Access Memory: The Path to Competitiveness and Scalability // Proceedings of the IEEE. 2008. V. 96. № 11. P. 1786−1798.
  3. Slonczewski J. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 10. P. 6995−7002.
  4. Li F., Li Z., Xiao M. Bias dependent tunneling in ferromagnetic junctions and inversion of the tunneling magnetoresistance from a quantum mechanical pint of view // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. № 11. P. 7243−7245.
  5. Slonczewski J.C. Current-driven excitation of magnetic multilayers // Journal of Magnetism and Magnetic Material. 1996. V. 159. № 1−2. P. L1−L7.
  6. Julliere M. Tunneling between ferromagnetic film // Phys. Lett. A. 1975. V. 54. № 3. P. 225−226.
  7. Brinkman W.F., Dyes R.C. Tunneling Conductance of Asymmetrical Barriers // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. № 5. P. 1915−1921.