350 руб
Журнал «Нелинейный мир» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Измерение температуры и электронное охлаждение СИН-переходами
Авторы:
Р.А. Юсупов - студент, МФТИ. E-mail: usupovrenat@gmail.com
Аннотация:
Продемонстрировано и изучено электронное охлаждение в структуре с двумя СИНИС-переходами, где в качестве абсорбера использован алюминий с подавлением сверхпроводимости подслоем из окиси хрома.
Страницы: 102-103
Список источников
  1. Hekking F.W.J., Nazarov Yu.V. Subgap conductivity of a superconductor-normal-metal tunnel interface // Phys. Rev. B.1994. V. 49. № 10. Р. 6847-6852.
  2. Greibe T., Stenberg M.P.V., Wilson C.M., Bauch T., Shumeiko V.S., Delsing P. Are "pinholes" the cause of excess current in superconducting tunnel junctions - A study of Andreev current in highly resistive junctions // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. Р. 097001. 
  3. Saira O.-P., Kemppinen A., Maisi V.F., Pekola J. Vanishing quasiparticle density in a hybrid Al/Cu/Al single-electron transistor // Phys.Rev.B.2012. V. 85. Р.012504.
  4. Giazotto F., Heikkila T.T., Luukanen A., Savin A.M., Pekola J.P. Opportunities for mesoscopics in thermometry and refrigeration: physics and applications // Rev.Mod.Phys. 2006. V. 78. № 1. Р. 217-274.
  5. Тарасов М.А., Кузьмин Л.С., Фоминский М.Ю., Агуло И.Е., Калабухов А.С. Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 78. Вып. 11. С. 1228-1231.