Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову high-electron-mobility transistors
Анализ зависимости параметров HEMT транзисторов на основе GaN от толщины наноразмерного барьерного слоя AlGaN с помощью численного моделирования
В.А. Петров - инженер-технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v.petrov@svetlana-ep.ru В.Г. Тихомиров - к.т.н., ЗАО «Светлана - Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: v11111@yandex.ru