Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову hgcdte
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te (x = 0,21-0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев
А.В. Войцеховский - д.ф.-м.н., зав. кафедрой, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: vav43@mail.tsu.ru Н.А. Кульчицкий - д.т.н., профессор, Московский технологический университет (МИРЭА), Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова E-mail: n.kulchitsky@gmail.com С.Н. Несмелов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: nesm69@mail.ru С.М. Дзядух - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Национальный исследовательский Томский государственный университет E-mail: bonespirit@sibmail.com