Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову полевой транзистор
Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода
В.А. Крупенин, Д.Е. Преснов, В.С. Власенко, С.В. Амитонов
Методика уточнения характеристик модели Матерка полевого транзистора
В.П. Мещанов - д. т. н., зам. директора ОАО «ЦНИИИА». E-mail: market@cime.ru А.Л. Хвалин - к. т. н., доцент, Саратовский ГУ. E-mail: Khvalin63@mail.ru
Уменьшение погрешности контактирования при измерении параметров мощных полевых транзисторов
А.А. Капралова - вед. инженер ФГУП НПП «Исток» В.М. Лукашин - нач. НТС НИИ «МЭИИТ МИЭМ» Л.В. Манченко - нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток» А.Б. Пашковский - д.ф.-м.н., нач. отдела ФГУП НПП «Исток» В.А. Пчелин - к.т.н., нач. лаборатории ФГУП НПП «Исток». E-mail: solidstate10@mail.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в полевых транзисторах с двумерным электронным каналом и решеточным затвором
Д.В. Фатеев - к.ф.-м.н., науч. сотрудник, СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова РАН E-mail: FateevDV@yandex.ru
Плазмонное детектирование терагерцевого излучения в двумерном электронном канале полевого транзистора с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой
Д.В. Фатеев - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН; ст. науч. сотрудник, СГУ им. Н. Г. Чернышевского. Е-mail: FateevDV@yandex.ru В.В. Попов - д. ф.-м. н., зав. лабораторией, Саратовский филиал ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН Т. Отсуджи - сотрудник, Исследовательский ин-т электрических коммуникаций (Япония) Я.М. Мезиани - зав. лабораторией прикладной физики, Университет г. Саламанки (Испания) Д. Кокилат - сотрудник, лаборатория им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) В. Кнап - зав. лабораторией им. Ш. Кулона, Университет Moнтпелие-2 (Франция) С.А. Никитов - д. ф.-м. н., зам. директора ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, зав. лабораторией, СГУ им. Н. Г. Чернышевского
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом - основа молекулярного биосенсора
Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: Sam-MSU@yandex.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория криоэлектроники, физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе
С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ. E-mail: sam-msu@yandex.ru Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, МГУ. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора
В.Е. Драч - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ1-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org А.В. Родионов - к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ2-КФ, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: andviro@gmail.com
Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Подготовка поверхности подложки кремниевых нанопроволочных полевых транзисторов для создания биосенсора

А.А. Черемискина¹, В.М. Генералов², А.С. Сафатов³, Г.А. Буряк4, А.Л. Асеев5

1-4 ФБУН ГНЦ вирусологии и биотехнологии «Вектор» Роспотребнадзора (р.п. Кольцово, Новосиб. обл., Россия)

5 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (г. Новосибирск, Россия);

Новосибирский государственный университет (г. Новосибирск, Россия)

Особенности построения средневолнового радиомаяка дифференциальных подсистем глобальных навигационных спутниковых систем «Каскад 800», обладающего повышенной эксплуатационной надежностью, и его перспективные возможности

Л.А. Абрамов – к.т.н., гл. специалист, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург) E-mail:office@rirt.ru

Н.С. Хохлов – начальник лаборатории, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Н.А. Коротков – начальник сектора, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Д.Г. Кравченко – ст. инженер, АО«Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

В.С. Никитин – ст. инженер, АО «Российский институт радионавигации и времени» (Санкт-Петербург)

Сверхширокополосный усилитель мощности СВЧ

А.В. Бобров1, В.Н. Вьюгинов2, И.Г. Киселёв3, М.Ш. Тугушев4

1,3,4 АО «Светлана-Электронприбор»  (Санкт-Петербург, Россия)

2 СПб ГЭТУ (ЛЭТИ), (Санкт-Петербург, Россия)

Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов

И.И. Абрамов1, Н.В. Коломейцева2, В.А. Лабунов3, И.А. Романова4, И.Ю. Щербакова5

1–5 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)