350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №11 за 2013 г.
Статья в номере:
Анализ влияния нейтронного облучения на размеры и параметры оптически активной области и вольт-люмен-амперные характеристики четырехкомпонентных AlGaInP и AlGaInN гетероструктур
Ключевые слова: гетероструктуры радиационная стойкость деградация светодиоды вольт-амперная характеристика люмен-амперная характеристика
Авторы:
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru Л.В. Гаршенин - к.т.н., зам. директора СКБ ОАО «Оптрон». E-mail: gar@optron.ru И.В. Рыжиков - к.т.н., профессор, МГУПИ
Аннотация:
Показано, что при использовании приборов в ядерной электронике, космическом приборостроении, бортовой и военной аппаратуре сведения о радиационной стойкости изделий являются необходимыми, а в ряде случаев определяющими, поэтому исследования радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов нового поколения на основе AlInGaP и AlInGaN гетероструктур представляются весьма актуальными в русле их использования в спецаппаратуре.
Страницы: 94-103
Список источников

  1. Абдуллаев О.Р., Виноградов В.С.,Кондратенко В.С., Рыжиков И.В. Люмен-амперные характеристики p-n*-n-структур на основе твердых растворов фосфида и нитрида галлия индия алюминия (теория) // Вестник МГУПИ. 2009. № 21. С. 95-103.
  2.  Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1988. Т. 32, № 1. С. 3-18.
  3.  Krames M.R., Ochiai-Holcomb M.L. Holier G.E., Carter-Coman C., Chen E.I., Tan I.-H., Grillot P., Gardner N.F., Chui H.C., Huang J.-W., Stockman S.A., Kish F.A., Craford M.G., Tan T.S., Kocot C.P., Hueschen M., Posselt J., Loh В., Sasser G., and Collins D.High-power truncated-inverted-pyramid AlInGaP//GaP light-emitting diodes exhibiting > 50% external quantum efficiency // Appl. Phys Lett.1999.75. Р. 2365.
  4.  Krames М.R., et al. High-brightness AlGalnP light-emitting diodes // Proceedings of SPIE. 2000. V. 2. P. 03938.
  5.  Kish F.A., Steranka F.M., DeFevere D.C, Vanderwater D.A., Park K.G., Kuo C.P., Osentowski T.D., Peanasky M.J., Yu J.G., Fletcher R.M., Steigerwald D.A., Craford M.G., and Robbins V.M. Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate AlInGaP//GaP light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1994.V. 64. P. 2839.
  6.  Windisch R., Room an C, Kuijk M., Borghs G., and Heremans P. Impact of texture-enhanced transmission on high-efficiency surface-textured light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 2001.V. 79. P. 23L5.
  7.  Schlotter P., Schmidt R., and Schneider J. "Luminescence conversion of blue light emitting diodes // Appl. Phys. 1997.A64. Р.417.
  8.  Schlotter P., Baur J., Rielscher C, Kunzer M., Obloh H., Schmidt R., and Schneider J. Fabrication and characterization of GaN/InGaNVAlGaN double heterostructure LEDs and their application in luminescence conversion LEDs // Materials Sci. Eng. 1999.B59. Р. 390.
  9.  Chang S.J., Chang C.S., Su Y.K., Chang P.Т., Wu Y.R., HuangК.H. and Chen T.P. AlGaInP multiquantum well light-emitting diodes // IEE Proc. Optoelectronics. 1997.V. 1. Р.144.
  10.  Chang S.J. and Chang C.S.AlGa.InP-GaInP compressively strained multiquantum well light-emitting diodes for polymer fiber applications)) // IEEE Photonics Technol. Lett. 1998а. V. 10. Р. 772.
  11.  Kish F.A. and Fletcher R.M.AlGaInP light-emitting diodes /High Brightness Light-Emitting Diodes. Edited by G.B. Stringfellow and M.G. Craford // Semiconductors and Semimetals. Academic Press. San Diego. 1997. V. 48. Р. 149.
  12.  Streubel K., Linder N., Wirth R., and Jaeger A. High brightness AlGalnP light-emitting diodes // IEEEJ. SeL Top. Quantum Electron. 2002.V. 8. P. 321.
  13.  Nakamura S., Senoh M.L., and Mukai T.P-GaN/N-InGaN/N-InGaN double het-erostructure blue-light-emitting diodes // Jpn. J. Appl. Phys. 1993а.V. 32. P. L8.
  14.  Алферов Ж.И. // Письма в журнал технической физики. 1997. № 3. С. 657-659.
  15.  Craford G. Visible light emitting diodes: past, present and very bright future // MRS bulletin. 2000. № 1. Р. 113-118.
  16.  Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г., Мизеров М., Пушный Б. Мощные полупроводниковые источники излучения // Электроника: наука, технология, бизнес. 1999.№3. С. 16-21.
  17.  Nakamura S., Senoh M, and Mukai T.High-power InGaN/GaN double-heterostructure violet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1993b.V. 62. P. 2390.
  18.  Nakamura S., Mukai Т., and Senoh M. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes // Appl. Phys.Lett. 1994b.V. 64. P. 1687.
  19.  Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S.High-brightness InGaN blue, green, and yellow light-emitting diodes with quantum well structures)) // Jpn J. Appl. Phys. 1995.V. 34. P. 1797.
  20.  Kish F.A. and Fletcher R.M. AlGalnP light-emitting diodes» / High Brightness Light-Emitting Diodes. Eedited by G. B. Stringfellow and M. G. Craford // Semiconductors and Semimetals. Academic. San Diego. 1997. V. 48.
  21.  Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 32. № 1. С. 3-18.
  22.  Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего // Светотехника. 2003. № 3. С. 2-7.
  23.  Юнович А.Э. Исследования и разработки светодиодов в мире и возможности развития светодиодной промышленности в России // Светотехника. 2007. №6. С. 13-17.
  24.  Krames M.R. el al. High-brightness AlGalnN light emitting diodes // Proc. SPIE. 2000. V. 2. P. 3938.
  25.  Кондратенко В.С., Рыжиков И.В., Куроедов А.В., Виноградов В.С., Фирсов А.С., Руденко Н.Н. Полупроводниковые источники освещения - революция в оптоэлектронике //Вестник МГУПИ. 2009. № 1. С.23-29.
  26.  Schmid W., Scherer M., Jager R., Strauss P., Streubel K., and Ebeling K. Efficient light-emitting diodes with radial outcoupling taper at 980 and 630 nMemission wavelength // Proc. SPIE.2001.V. 4278. Р. 109.
  27.  Абрамов В.С., Маняхин Ф.И., Рыжиков В.И. Исследование воздействия нейтронного и гамма облучения на вольт-амперные и люмен-амперные характеристики светодиодов на основе InXGa1-XN-GaN с зеленым цветом свечения // Приборы + автоматизация. 2002. № 10(28). С.44-47.
  28.  Гридин В.Н., Рыжиков И.В., Виноградов В.С.. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов на светодиоды с белым и синим цветом свечения // Известия вузов. Сер. Электроника. 2009. № 1(75), С. 27-32.
  29.  Gridin V.N., Ryzhikov I.V., and Vinogradov V.S. A Study of the Effect of Fast Neutrons and Electrons on White and Blue LEDs // Semiconductors. 2009. V. 43. № 13.Р. 1690-1694.
  30.  Кондратенко В.С., Абдуллаев О.Р., Виноградов В.С., Рыжиков И.В., Фирсов А.С. Сравнительное исследование воздействия проникающей радиации на светодиоды нового поколения на основе AlGaInP и AlGaInNгетероструктур // Приборы + автоматизация. 2009. № 1. С. 24-36.
  31.  Зайцев С.Н., Гридин В.Н., Зайцев С.Н., Рыжиков И.В., Щербаков Н.В.Разработка нового поколения полупроводниковых источников освещения // Компьютерная оптика. 2012. Т. 36. № 4. С. 541-553.
  32.  Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах // ЖТФ. 1956. Т. 26. Вып. 7. С. 1419-1426.
  33.  Paramenter R.H., Ruppel W.S. // Appl. Phys. 1959. V.39. P.1548-1555.
  34.  Зайцев С.Н., Леготин С.А., Зайцев С.Н. Влияние нейтронного облучения на вольт-амперные характеристики не­симметричных pin-структур // Научно-технич. сб. «Вопросы атомной науки и техники». Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (ВАНТ). 2013. Вып. 2. С. 90-99.
  35.  Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах // ЖТФ. 1956. Т. 26. Вып. 7. С. 1419-1426.
  36.  Herring C. // Bell Sest. Tech. J. 1949. V.28. № 401. P.172-181.